在2013年2月6日舉辦的“全球半導(dǎo)體論壇＠東京2013”（主辦：《日經(jīng)電子》）上登臺(tái)演講的臺(tái)積電日本公司代表董事小野寺誠(chéng)介紹了臺(tái)積電（TSMC）2013年的微細(xì)化投資計(jì)劃。臺(tái)積電2013年的設(shè)備投資額計(jì)劃為90億美元，比上年增加約10％，該公司打算將其中的大部分用于組建后28nm工藝生產(chǎn)線，目前正在同時(shí)建設(shè)五條生產(chǎn)線。

小野寺表示，臺(tái)積電“將在2013年建成兩個(gè)比較大的平臺(tái)”。一個(gè)是“20SOC”，為采用后柵極方式高介電率（high-k）柵極絕緣膜和金屬柵極的20nm工藝技術(shù)；另一個(gè)是“16FF”，為采用FinFET的16nm工藝技術(shù)。20nm工藝將把28nm工藝中分開的四個(gè)工藝技術(shù)整合成一個(gè)工藝。具體時(shí)間為，20nm工藝技術(shù)將在2013年1～3月開始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，16nm工藝技術(shù)將提前至2013年10～12月開始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。10nm工藝技術(shù)計(jì)劃在2015年10～12月開始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。對(duì)于最近一個(gè)季度在銷售額中所占比例提高至22％的28nm工藝，今后將進(jìn)一步擴(kuò)大其產(chǎn)能。

臺(tái)積電將按照上述計(jì)劃，陸續(xù)在“Fab12（新竹）”、“Fab14（臺(tái)南）”以及“Fab15（臺(tái)中）”三個(gè)300mm晶圓工廠建立尖端工藝生產(chǎn)線。Fab12已經(jīng)啟動(dòng)了量產(chǎn)28nm工藝的“Phase5”，正在組建量產(chǎn)20nm工藝和16nm工藝的“Phase6”，此外，還計(jì)劃組建量產(chǎn)16nm工藝和10nm工藝的“Phase7”。

Fab14啟動(dòng)了量產(chǎn)40nm工藝的“Phase4”，正在組建跳過28nm工藝量產(chǎn)20nm工藝的“Phase5”及“Phase6”，面向20nm工藝的“Phase7”也在計(jì)劃之中。Fab15啟動(dòng)了量產(chǎn)28nm工藝的“Phase2”，正為了擴(kuò)大28nm工藝產(chǎn)能而組建“Phase3”和“Phase4”。

臺(tái)積電目前約有4000名員工在開發(fā)尖端工藝技術(shù)。小野寺表示，“其中多數(shù)人都在從事20～10nm工藝及其以后的工藝技術(shù)開發(fā)”。（記者：大下 淳一，《日經(jīng)電子》）