電裝、豐田中央研究所、昭和電工在于東京有明國(guó)際會(huì)展中心舉行的“nano tech 2013”（第12屆國(guó)際納米技術(shù)綜合展）上，展出了共同開(kāi)發(fā)的口徑為6英寸的SiC基板。該基板的特點(diǎn)在于位錯(cuò)（缺陷）密度為數(shù)千個(gè)/cm2，“比市售SiC基板低一位數(shù)”（電裝解說(shuō)員）。這三家公司的目標(biāo)是，在2014年度內(nèi)，“先開(kāi)發(fā)完成可供家電等領(lǐng)域?qū)嶋H使用的6英寸基板”（電裝解說(shuō)員）。

展出的6英寸基板使用的是在沒(méi)形成外延膜的裸晶圓上使母材晶體（種晶）生長(zhǎng)的“RAF生長(zhǎng)法”。RAF生長(zhǎng)法是電裝和豐田中央研究所于2004年共同開(kāi)發(fā)出的SiC結(jié)晶生長(zhǎng)技術(shù)，通過(guò)沿位錯(cuò)和平行方向切割晶體、使晶體再生長(zhǎng)來(lái)減少位錯(cuò)。展品的數(shù)千個(gè)/cm2的位錯(cuò)密度“如果用于SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管），是能夠以高成品率來(lái)制造的水平”（電裝解說(shuō)員）。今后將以應(yīng)用于SiC-MOSFET等為目標(biāo)，進(jìn)一步減少位錯(cuò)缺陷。

目前市售SiC基板的價(jià)格方面，4英寸產(chǎn)品為20萬(wàn)～50萬(wàn)日元左右，最近開(kāi)始樣品供貨的6英寸產(chǎn)品的價(jià)格估計(jì)將遠(yuǎn)高于這一水平。電裝等三家公司今后將提高晶體生長(zhǎng)速度、改進(jìn)晶圓的切割方法，以確立能夠低成本量產(chǎn)6英寸產(chǎn)品的技術(shù)。

電裝解說(shuō)員稱， 近幾年，鐵路及空調(diào)等領(lǐng)域開(kāi)始采用SiC器件，因此“汽車業(yè)對(duì)SiC的看法有所改變，采用的可能性不斷加大”。估計(jì)最快在2015年就會(huì)出現(xiàn)配備SiC器件的技術(shù)測(cè)評(píng)用成車。解說(shuō)員還表示，SiC器件要想廣泛應(yīng)用到發(fā)動(dòng)機(jī)控制部分等，“我個(gè)人估計(jì)是在2019～2020年”。（記者：大下淳一，《日經(jīng)電子》）