聯(lián)電 (UMC)與新加坡半導(dǎo)體封測(cè)廠商星科金朋 (STATS ChipPAC)共同發(fā)表號(hào)稱全球第一件在開(kāi)放式供應(yīng)鏈環(huán)境下合作開(kāi)發(fā)的內(nèi)嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術(shù)。兩家公司所展示的3D晶片堆疊，由Wide I/O記憶體測(cè)試晶片和內(nèi)嵌TSV的28奈米微處理器測(cè)試晶片所構(gòu)成，并且達(dá)成封裝層級(jí)可靠度評(píng)估重要的里程碑。
此次的成功證明了透過(guò)聯(lián)電與星科金朋的合作，在技術(shù)和服務(wù)上結(jié)合晶圓專工與封測(cè)供應(yīng)鏈，將可以順利實(shí)現(xiàn)高可靠度3D IC制造的全面解決方案。聯(lián)電與星科金朋經(jīng)驗(yàn)證的3D IC開(kāi)放式供應(yīng)鏈，為業(yè)界供應(yīng)鏈間的合作，建立了實(shí)現(xiàn)共贏的重要范例與標(biāo)準(zhǔn)。在此一合作開(kāi)發(fā)計(jì)畫(huà)中，聯(lián)電所提供的前段晶圓制程，包含晶圓專工等級(jí)細(xì)間距、高密度TSV制程，可順暢地與聯(lián)電28奈米Poly SiON制程相整合。
此專案獲取的know-how也將運(yùn)用于聯(lián)電28奈米Hign-K/metal gate制程。而中段與后段制程部分，則由星科金朋執(zhí)行晶圓薄化、晶圓背面整合、細(xì)微線距銅柱凸塊，與高精密度晶片對(duì)晶片3D堆疊等。