聯(lián)電 (2303)與新加坡半導體封測廠商星科金朋( STATS ChipPAC )今(29日)共同宣布，展示全球第一件在開放式供應鏈環(huán)境下合作開發(fā)的內嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術。聯(lián)電指出，所展示的3D晶片堆疊，是由Wide I/O記憶體測試晶片和內嵌TSV的28 奈米微處理器測試晶片所構成，并且達成封裝層級可靠度評估重要的里程碑。此次的成功，證明了透過聯(lián)電與星科金朋的合作，在技術和服務上結合晶圓專工與封測供應鏈，可望順利實現(xiàn)高可靠度3D IC制造的全面解決方案。
星科金朋技術創(chuàng)新副總Shim Il Kwon表示，晶片整合層次提升的趨勢正快速演進當中，而3D IC技術在增進IC功能上勢必扮演不可或缺的角色，實現(xiàn)的模式也將多元化。在開放式供應鏈的合作模式下，晶圓專工業(yè)尖端的TSV、前段晶圓制程可以與封測業(yè)高度創(chuàng)新的中段、后段3D IC堆疊封測制程整合成互補的完整平臺，為半導體市場驅動可靠的3D IC解決方案。而星科金朋很高興聯(lián)電作為晶圓專工伙伴所做的承諾與投入，并期待雙方在未來能更進一步合作。此次推出的解決方案平臺，將可協(xié)助客戶掌握新市場契機。
聯(lián)電先進技術開發(fā)處簡山杰副總則表示，認為3D IC無需局限在封閉的商業(yè)模式之下開發(fā)，因此聯(lián)電致力與所有主要的封測伙伴合作開發(fā)3D IC，并且都有相當程度的進展。他指出，聯(lián)電與封測領導廠商，例如星科金朋之間的合作成果，可說更加確立3D IC開放式供應鏈的運作方式。對3D IC客戶而言，此模式在開發(fā)與執(zhí)行過程中，可讓晶圓專工與封裝測試廠商可以充分發(fā)揮各自的核心優(yōu)勢，與封閉式3D IC開發(fā)模式相比，客戶將受惠于更高的供應鏈管理彈性，以及技術取得更加透明等優(yōu)點。
聯(lián)電與星科金朋經(jīng)驗證的3D IC開放式供應鏈，為業(yè)界供應鏈間的合作，建立了實現(xiàn)共贏的重要范例與標準。在此一合作開發(fā)計畫中，聯(lián)電所提供的前段晶圓制程，包含晶圓專工等級細間距、高密度TSV制程，可順暢地與聯(lián)電28奈米Poly SiON制程相整合。此專案獲取的know-how也將運用于聯(lián)電28奈米High-K/metal gate制程。而中段與后段制程部分，則由星科金朋執(zhí)行晶圓薄化、晶圓背面整合、細微線距銅柱凸塊，與高精密度晶片對晶片3D堆疊等。