半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎向3D IC時(shí)代，全球電腦中央處理器龍頭英特爾技術(shù)長(zhǎng)瑞特納（Justin Rattner）昨（4）日宣布與臺(tái)灣工研院創(chuàng)造出超低耗電的實(shí)驗(yàn)性陣列記憶體，可大幅推升3D堆疊與系統(tǒng)最佳化的發(fā)展，穩(wěn)住在半導(dǎo)體先進(jìn)制程的技術(shù)。
英特爾近年與臺(tái)灣展開一系列產(chǎn)學(xué)合作，2010年3月先成立「Intel—臺(tái)大創(chuàng)新研究中心」，去年底又宣布與經(jīng)濟(jì)部技術(shù)處和工研院合作，3方將在5年內(nèi)各投入500萬(wàn)美元、合計(jì)1,500萬(wàn)美元（約新臺(tái)幣近4.5億元）開發(fā)新世代記憶體。

為了展現(xiàn)成果，英特爾技術(shù)長(zhǎng)瑞特納特別訪臺(tái)，昨天宣布英特爾實(shí)驗(yàn)室（Intel Labs）在臺(tái)研究計(jì)劃的階段性成果，包括與工研院共同進(jìn)行的記憶體研究計(jì)劃，以及英特爾—臺(tái)大創(chuàng)新研究中心的發(fā)展進(jìn)度。

瑞特納表示，與工研院合作的創(chuàng)新陣列結(jié)構(gòu)，可大幅推升3D 堆疊與系統(tǒng)最佳化的發(fā)展，讓高密度的記憶體大幅提升電源使用效益，可提升電池續(xù)航力、更快整合行動(dòng)資料，透過(guò)更高解析度帶來(lái)更好的繪圖功能，好的行動(dòng)使用體驗(yàn)。

3D IC是各家半導(dǎo)體大廠兵家必爭(zhēng)之地，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀即曾表示，3D IC是解決摩爾定律延續(xù)的關(guān)鍵技術(shù)。工研院資通所長(zhǎng)吳誠(chéng)文認(rèn)為，英特爾與工研院合作，可協(xié)助臺(tái)灣晶圓產(chǎn)業(yè)因應(yīng)未來(lái)挑戰(zhàn)，對(duì)記憶體產(chǎn)業(yè)和高階應(yīng)用處理器發(fā)展也會(huì)帶來(lái)重大影響。

雙方規(guī)劃，將開發(fā)超快速且深具電源使用效益的記憶體技術(shù)，這些新世代記憶體技術(shù)將用在包括超輕薄筆電（Ultrabook）、平板電腦及智慧型手機(jī)等超行動(dòng)裝置，以及未來(lái)的百萬(wàn)兆級(jí)與超大云端資料中心。

技術(shù)處強(qiáng)調(diào)，英特爾本身已英特爾擁有3D IC技術(shù)，新世代記憶體為立體堆疊的3D IC，整合了邏輯IC和記憶體，主要是為了研發(fā)容量高、速度快、省電的IC，因應(yīng)未來(lái)3至5年可能發(fā)生的產(chǎn)業(yè)瓶頸，但不會(huì)侵害記憶體的市場(chǎng)需求。