臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清表示，臺積電在開放創(chuàng)新平臺(Open Innovation Platform, OIP)架構(gòu)中，支援20奈米與CoWoS制程的設(shè)計環(huán)境已準(zhǔn)備就緒；并已發(fā)展兩套先進(jìn)設(shè)計參考流程，將助力IC設(shè)計業(yè)者加速切入20奈米及3D IC設(shè)計。

事實上，近期晶圓代工廠在先進(jìn)制程的炮火已日益猛烈。其中，格羅方德不僅宣稱已拿下超過百件28奈米設(shè)計定案(Tape Out)，且今年上半年營收也擠下聯(lián)電，成為全球第二大晶圓代工廠。此外，格羅方德近期還揭露一項新計劃，預(yù)計在2014年以3D鰭式電晶體(FinFET)打造14奈米與20奈米混合制程--14nm-XM技術(shù)，足見其擴(kuò)張事業(yè)版圖的企圖心。

至于聯(lián)電則致力擴(kuò)充40、28奈米產(chǎn)能搶市，并已取得IBM的20奈米、FinFET技術(shù)授權(quán)，加緊布局先進(jìn)制程；同時，也正緊鑼密鼓部署3D IC矽穿孔(TSV)量產(chǎn)服務(wù)。據(jù)了解，今年第四季聯(lián)電28奈米制程營收，可望達(dá)到該公司整體營收5%的水準(zhǔn)，未來幾年也將在20奈米以下制程領(lǐng)域大顯身手，搶占市場商機(jī)。

侯永清指出，對臺積電及其開放創(chuàng)新平臺設(shè)計生態(tài)環(huán)境伙伴而言，首要目標(biāo)在于能及早催生先進(jìn)的矽晶片生產(chǎn)技術(shù)，以協(xié)助終端客戶打造功能更出色的產(chǎn)品。隨著臺積電勾勒出20奈米先進(jìn)制程與3D IC生產(chǎn)制造模式，對實現(xiàn)此一目標(biāo)將大有助益。

臺積電20奈米參考流程已經(jīng)過驗證，將提供客戶雙重曝光技術(shù)(Double Patterning Technology, DPT)所需的布局與配線(Place and Route)、時序(Timing)、實體驗證(Physical Verification)、可制造性設(shè)計(DFM)及電子設(shè)計自動化(EDA)工具等知識，協(xié)助客戶順利以臺積電20奈米制程開發(fā)新一代晶片，并降低設(shè)計復(fù)雜度及提高精確性。

另一方面，臺積電CoWoS參考流程亦通過矽晶片驗證，可順利整合并堆疊異質(zhì)晶片，以因應(yīng)高頻寬、低功耗產(chǎn)品設(shè)計需求；同時讓晶片商受惠于現(xiàn)成的EDA工具、晶片連接訊號一致性、熱分析，以及晶片級(Die-level)與堆疊級(Stacking-level)測試所需的整合式3D IC電路測試方法，加速產(chǎn)品上市。