Globalfoundries下一代制程名為XM ，意指極高的遷移性，也表示該公司將能提供更先進(jìn)的性能和功耗。其功耗優(yōu)勢(shì)在于有功功率消耗可減少40%~60%，Chian表示。

僅僅在啟動(dòng)20nm CMOS制程后一年，Globalfoundries就積極導(dǎo)入14XM節(jié)點(diǎn)，這也是該公司首次部署鰭狀電晶體。然而，要做到這一點(diǎn)，該公司要使用與其20LPM制程相同的中間和后端金屬，而且用FinFET來取代平面電晶體。為了緩解客戶的上市壓力，Globalfoundries也使用了可移植的IP模組，而用于14XM制程的這些模組往往與用在20LPM制程中的有著相同的面積。

Globalfoundries 設(shè)計(jì)開發(fā)副總裁Mojy Chian表示，這將讓開發(fā)人員盡可能地在早期設(shè)計(jì)就開始使用。這種策略將使晶片制造領(lǐng)域跳脫過去僅依循晶片尺寸微縮和節(jié)省成本的發(fā)展路線，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。“價(jià)值主張?jiān)谟诠募靶阅埽浅叽?，”Chian說。他接著表示，“快速地轉(zhuǎn)移，是新制程最重要的一個(gè)部份?！?/font>

但他也指出，與20nm平面電晶體相比，由于FinFET的電流驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度將會(huì)增加，因此設(shè)計(jì)師或許可以選擇重新合成設(shè)計(jì)，并針對(duì)某些特定設(shè)計(jì)從設(shè)計(jì)庫中選用較小尺寸的單元。他表示，使用尺寸不同的單元某種程度上也有助于減小尺寸。

Chian對(duì)于導(dǎo)入14XM制程深具信心，并表示該制程不必等待超紫外光(EUV)微影技術(shù)。[!--empirenews.page--]他表示，“其后端與20LPM相同。它們都能用雙重圖案來完成?！?/font>

英特爾是率先推出使用FinFET的22nm 商業(yè)化制程公司。然而，該制程一直被批評(píng)為僅提供單一電晶體的閾值電壓，這將限制設(shè)計(jì)人員，而且也并非真的尋求降低功耗的方法。但英特爾已宣布，2013年該公司將量產(chǎn)采用第二代22nm FinFET制程的元件。

Chian 則表示，14XM將讓設(shè)計(jì)人員更容易使用。“我們計(jì)劃提供多閾值電壓。我們不希望有任何設(shè)計(jì)限制。不過，VT會(huì)被量化，設(shè)計(jì)人員必須體認(rèn)到這一點(diǎn)?！?/font>

其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電(TSMC)也預(yù)計(jì)在16nm節(jié)點(diǎn)采用FinFET。