GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(28日)召開記者會，說明其于14 nm-XM制程技術的最新進展。格羅方德全球行銷暨業(yè)務執(zhí)行副總裁Michael Noonen(見左圖)指出，格羅方德的14 nm-XM技術將在2013年底有第1個客戶的tape-out，至于具體的量產(chǎn)時間點將落在2014年中。
Noonen強調(diào)，所謂的14 nm-XM技術，是以格羅方德研發(fā)10年HKMG(高介電金屬閘極)制程的經(jīng)驗為基礎，將14 nm的FinFET元件和格羅方德即將量產(chǎn)的20 nm-LPM技術做結合，特別適用于行動裝置高效能、低耗電的要求(XM即eXtreme Mobility的縮寫)。而雖許多客戶視20 奈米制程為28/32奈米制程下一世代的合理選擇，不過，也有客戶認為14奈米是最符合公司生產(chǎn)成本經(jīng)濟效益的方案，而偏向直接導入格羅方德最新的14 nm-XM制程。
他也指出，格羅方德是目前晶圓廠中，唯一能提供客戶從28奈米制程直接轉換到14奈米制程的廠商(意謂中間可跳過20奈米制程)，然后可以直接和英特爾的14奈米制程直接競爭。而往年制程的節(jié)點轉換(比方從45/40奈米到28奈米、從28奈米到20奈米)，每一世代約莫需要2年時間，但格羅方德本著和IBM等客戶協(xié)同合作的成果，也在14奈米的進展取得突破。Noonen表示，格羅方德20奈米量產(chǎn)的時間點，將落在2013年，不過14 nm-XM制程，則是在2014年就能接棒量產(chǎn)。
此外，關于格羅方德于先進制程的規(guī)劃，Noonen則表示，目前28奈米制程(包括PolySion、HPP等制程)加上32奈米的產(chǎn)能建置，生產(chǎn)基地主要是在德國的Fab 1，以及位于紐約薩拉托加郡、新建成的Fab 8。而未來14 nm-XM制程，預訂也會在Fab 8生產(chǎn)。而他也強調(diào)，F(xiàn)ab 8預計最高可以生產(chǎn)到10奈米的高階制程。
Noonen指出，今年格羅方德的資本支出約在35億美元以上。而三星今年的資本支出約為130億美元、臺積電 (2330)則為85億美元。