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[導(dǎo)讀]聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機(jī)大餅,聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù),將采Via-Middle方式,在晶圓完成后旋即穿孔,再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)

聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機(jī)大餅,聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù),將采Via-Middle方式,在晶圓完成后旋即穿孔,再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)等標(biāo)準(zhǔn)組裝晶片。目前規(guī)畫于今年第四季邁入產(chǎn)品實測階段,并于2013年展開商用量產(chǎn)。

聯(lián)華電子市場行銷處長黃克勤認(rèn)為,3D IC邁向普及仍需2~3年時間,原因包括制造成本過高、EDA工具仍未完備等。
聯(lián)華電子市場行銷處長黃克勤表示,聯(lián)電與記憶體大廠爾必達(dá)(Elpida)正聯(lián)手打造28奈米(nm)晶圓TSV制程,加速2.5D和3D IC問世。現(xiàn)基于Via-Middle的TSV生產(chǎn)技術(shù)已到位,今年第三季將在中段制程(MEOL)試作邏輯晶片與記憶體堆疊,并于第四季結(jié)合臺灣半導(dǎo)體封測廠技術(shù)能量,展開產(chǎn)品層級封裝( Product Level Packaging)與晶片效能、可靠度測試。

在半導(dǎo)體摩爾定律(Moore's Law)演進(jìn)遭遇瓶頸之際,2.5D及3D IC設(shè)計將大幅增強(qiáng)晶片效能、頻寬支援,同時能縮減功耗與印刷電路板(PCB)占位空間。因此,黃克勤強(qiáng)調(diào),聯(lián)電不斷加碼投資研發(fā),并拉攏半導(dǎo)體設(shè)備、封測及晶片業(yè)者,按部就班建立3D IC生態(tài)系統(tǒng),除能延續(xù)摩爾定律外,亦能擴(kuò)張旗下晶圓代工業(yè)務(wù)范疇。預(yù)計明年聯(lián)電的TSV制程導(dǎo)入商用后,營收也將顯著加溫。

與此同時,考量TSV未來將應(yīng)用在20奈米以下先進(jìn)制程,勢將面臨裸晶體積縮小后,微縮TSV直徑與提升對位精準(zhǔn)度的技術(shù)挑戰(zhàn),聯(lián)電亦搶先展開新技術(shù)布局。黃克勤透露,聯(lián)電將跳脫傳統(tǒng)TSV制作方式,改良TSV制程結(jié)構(gòu),借以優(yōu)化3D IC的可靠度與功能表現(xiàn)。

無獨有偶,臺積電亦致力發(fā)展2.5D/3D IC一條龍制程--CoWoS(Chip on Wafer on Substrate),并預(yù)計于2013年開始放量,沖刺3D IC晶圓代工的市占版圖。不過,該方案幾乎囊括TSV、晶??片堆疊與部分封測制程,可能發(fā)生與封測廠相互爭利的情況,引發(fā)業(yè)界關(guān)注;相較之下,聯(lián)電仍謹(jǐn)守晶圓代工分際。

黃克勤指出,聯(lián)電的2.5D/3D IC解決方案,僅鎖定Via-Middle的TSV服務(wù),針對晶片商的設(shè)計精準(zhǔn)鑿穿晶圓,而矽穿孔露出(Via-reveal)或晶片堆疊組裝等后段制程(BEOL)再交由封測業(yè)者操刀。由于專注TSV供應(yīng),將能避免設(shè)備投資負(fù)擔(dān)過重或引來激烈的市場競爭,同時也能擴(kuò)展客源與封測廠合作伙伴,削減物料清單(BOM)成本,促進(jìn)3D IC價格更快達(dá)到市場甜蜜點,加速普及。

據(jù)了解,Via-Middle模式系晶圓產(chǎn)出后才增添一道TSV工序,與直接在晶圓制造時就進(jìn)行TSV的Via-First,或晶圓交至封測廠手中才導(dǎo)入TSV的Via-Last兩種方案相比,包括晶圓品質(zhì)、良率及晶片商對設(shè)計的掌握度均較為出色,可望隨著3D IC生態(tài)系統(tǒng)茁壯而嶄露鋒芒,成為晶圓代工廠的金雞母。



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