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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電 (2330)法說(shuō)會(huì)于上周落幕,關(guān)于眾所注目的28 奈米發(fā)展進(jìn)度,財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅指出,28 奈米市場(chǎng)需求持續(xù)強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)臺(tái)積電在28 奈米第3季的出貨量將較第2季翻倍、且將挹注占第3季營(yíng)收成長(zhǎng)中的80%水準(zhǔn),可見(jiàn)其對(duì)臺(tái)積

臺(tái)積電 (2330)法說(shuō)會(huì)于上周落幕,關(guān)于眾所注目的28 奈米發(fā)展進(jìn)度,財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅指出,28 奈米市場(chǎng)需求持續(xù)強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)臺(tái)積電在28 奈米第3季的出貨量將較第2季翻倍、且將挹注占第3季營(yíng)收成長(zhǎng)中的80%水準(zhǔn),可見(jiàn)其對(duì)臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)的重要性。惟董事長(zhǎng)張忠謀也坦言,臺(tái)積電在28 奈米制程還面臨不少挑戰(zhàn)。而在良率遲遲未追上出貨成長(zhǎng)幅度的情況下,28 奈米對(duì)臺(tái)積電而言究竟是解藥,還是毒藥?目前看來(lái),為因應(yīng)大客戶(hù)于先進(jìn)制程的需求,臺(tái)積電勢(shì)必也只有先把產(chǎn)能備起來(lái)一途,毛利率預(yù)估將在今年第4季、明年第1季落底。
事實(shí)上,根據(jù)臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀所說(shuō),一個(gè)制程從開(kāi)始起步到成熟放量,大約需要2-2.5年時(shí)間,而若從臺(tái)積電 28 奈米制程于2011年第3季正式量產(chǎn)、今年第2季已占臺(tái)積電整體營(yíng)收比重達(dá)7%的情形看來(lái),發(fā)展速度其實(shí)算快,也因此如今28 奈米良率還有改善空間不足為奇,這可說(shuō)是發(fā)展先進(jìn)制程必經(jīng)的顛簸之路。
不過(guò),外資也對(duì)臺(tái)積電的28 奈米發(fā)展進(jìn)度提出些許質(zhì)疑,比方美林 ( Merrill Lynch )就指出,一般來(lái)說(shuō)當(dāng)一個(gè)新制程占到整體營(yíng)收比重的15-20%,其毛利率便應(yīng)該趨近于公司產(chǎn)品的平均值;若從這個(gè)角度看來(lái),臺(tái)積電表示要等到2013年第1季(屆時(shí)28 奈米營(yíng)收占比已逾2成)28 奈米的毛利率才能和平均水準(zhǔn)相當(dāng),無(wú)疑是有些慢了。而張忠謀表示,半導(dǎo)體第4季將面臨庫(kù)存調(diào)整、臺(tái)積電營(yíng)收將往下走、要到明年第2季才會(huì)反彈的情況下,可以預(yù)見(jiàn)的是,臺(tái)積電的毛利率也約會(huì)在今年第4季、明年第1季前后才落底。
不過(guò),在包括手機(jī)晶片大廠高通 ( Qualcomm )、處理器大廠超微 ( AMD )等大客戶(hù)均向臺(tái)積電要產(chǎn)能以滿(mǎn)足強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求下,臺(tái)積電恐也只能先擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)。而近期高通頻頻擴(kuò)大28 奈米釋單,向聯(lián)電 (2303)、三星、格羅方德(GlobalFoundries)招手,積極在為先進(jìn)制程備好充足產(chǎn)能,似乎隱含臺(tái)積電在28 奈米良率一時(shí)還難以拉升的情況下,擴(kuò)產(chǎn)是其現(xiàn)階段穩(wěn)住訂單的最佳做法。而法人也普遍預(yù)估,今年底前臺(tái)積電 28 奈米月產(chǎn)能可望達(dá)7萬(wàn)5千片的12吋約當(dāng)晶圓,將高于公司原先預(yù)期的6萬(wàn)8千片晶圓。
而臺(tái)積電除28 奈米,在先進(jìn)制程上也持續(xù)朝20、16 奈米邁進(jìn)。董事長(zhǎng)張忠謀就表示,今年會(huì)是28 奈米開(kāi)花結(jié)果的一年,而20 奈米在竹科、南科均已配置產(chǎn)線,預(yù)估2013年底就會(huì)開(kāi)始小量生產(chǎn)、2014年將可放量,至于16 奈米 FinFET制程則會(huì)在2014-2015年完成認(rèn)證。張忠謀也認(rèn)為,臺(tái)積電的20 奈米制程屆時(shí)將能和英特爾的22 奈米 FinFET制程抗衡,而16 奈米 FinFET制程的技術(shù)則能和對(duì)手的14 奈米抗衡。


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