臺(tái)積電(2330-US)(TSM-US) 和ARM 今日宣布一項(xiàng)多年期的合作協(xié)議，這兩企業(yè)將就20 奈米技術(shù)合作，讓ARM 晶片可運(yùn)用于FinFET (鰭式場(chǎng)效電晶體) 上，讓晶片設(shè)計(jì)商能繼續(xù)拓展其在應(yīng)用處理器上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。，雙方的合作將能為ARMv8架構(gòu)下的新一世代64位元ARM 處理器、ARM Artisan? 實(shí)體IP、以及臺(tái)積公司的FinFET制程技術(shù)進(jìn)行最佳化，以應(yīng)用于要求高性能和節(jié)能兼?zhèn)涞男袆?dòng)和企業(yè)市場(chǎng)。
這次的合作雙方將共享技術(shù)資訊和反饋，協(xié)助提升ARM 矽智財(cái)與臺(tái)積電制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)。ARM 將能藉由制程資訊，設(shè)計(jì)效能、體積、功率的最佳化完整方案，以降低風(fēng)險(xiǎn)并促使客戶采用。臺(tái)積電則能藉由ARM 的最新處理器和技術(shù)，為FinFET 制程技術(shù)制定基準(zhǔn)點(diǎn)并且優(yōu)化。臺(tái)積電的FinFET 技術(shù)和ARMv8 架構(gòu)結(jié)合將能讓晶圓設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)取得跨市場(chǎng)類別，并且持續(xù)創(chuàng)新的解決方案。除此之外，此合作還能改善矽制程、實(shí)體IP 和晶圓科技，共同促成嶄新的SoC 科技革新，并且縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
臺(tái)積電和ARM 在各自領(lǐng)域中皆擁有領(lǐng)先技術(shù)，ARMv8 架構(gòu)延續(xù)了ARM 低功耗的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先地位，臺(tái)積電的FinFET 制程則可顯著改善速度和功率，并且降低漏電流，以上的優(yōu)勢(shì)都將有助于兩家企業(yè)的共同客戶進(jìn)行SoC 的創(chuàng)新設(shè)計(jì)。