意法半導(dǎo)體負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)支援和服務(wù)的企業(yè)副總裁Philippe Magarshack表示，因?yàn)闆](méi)有MOS歷史效應(yīng)影響(MOS-History-Effect)，從28奈米傳統(tǒng)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制程(Bulk CMOS)技術(shù)向28奈米FD-SOI移植軟體庫(kù)和物理IP內(nèi)核很簡(jiǎn)單，使用傳統(tǒng)的CAD工具和方法研發(fā)FD-SOI數(shù)位系統(tǒng)單晶片與研發(fā)傳統(tǒng)CMOS制程技術(shù)完全相同。

Magarshack進(jìn)一步指出，透過(guò)動(dòng)態(tài)最佳化電路基片(俗稱襯底)，F(xiàn)D-SOI還可讓同一晶片具有極高性能或極低功耗，F(xiàn)D-SO在低電壓條件下?lián)碛谐錾男阅鼙憩F(xiàn)，能效明顯高于傳統(tǒng)CMOS制程技術(shù)。

憑借其注重成本效益的平面型FD-SOI技術(shù)，意法半導(dǎo)體推出28奈米的完全空乏型元件。為提供FD-SOI貨源雙重保障，意法半導(dǎo)體與格羅方德簽訂代工協(xié)定，以補(bǔ)充意法半導(dǎo)體位于法國(guó)Crolles工廠的產(chǎn)能。

與此同時(shí)，28奈米FD-SOI元件目前已商用化，預(yù)計(jì)于2012年7月前投入原型設(shè)計(jì)；而20奈米FD-SOI元件目前處于研發(fā)階段，預(yù)計(jì)于2013年第三季投入原型設(shè)計(jì)。

此外，意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)已被ST-Ericsson用于下一代行動(dòng)平臺(tái)，這項(xiàng)技術(shù)將讓ST-Ericsson的NovaThor平臺(tái)具有更高的性能和更低的功耗，在發(fā)揮最高性能的同時(shí)降低功耗達(dá)35%。意法半導(dǎo)體計(jì)畫(huà)對(duì)格羅方德的其他客戶開(kāi)放FD-SOI技術(shù)，讓他們能采用28奈米和20奈米技術(shù)研發(fā)產(chǎn)品。

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