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[導(dǎo)讀]聯(lián)電(2303)與新加坡微電子研究院攜手開發(fā)TSV技術(shù),將應(yīng)用于行動(dòng)電子產(chǎn)品背面照度式影像傳感器,有助聯(lián)電擴(kuò)充CMOS影像傳感器市場。 聯(lián)電與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research, A*Star)旗

聯(lián)電(2303)與新加坡微電子研究院攜手開發(fā)TSV技術(shù),將應(yīng)用于行動(dòng)電子產(chǎn)品背面照度式影像傳感器,有助聯(lián)電擴(kuò)充CMOS影像傳感器市場。
聯(lián)電與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research, A*Star)旗下之微電子研究院(Institute of Microelectronics, IME)于昨日(5日)共同宣布,雙方已協(xié)議合作進(jìn)行應(yīng)用于背面照度式CMOS影像傳感器之TSV技術(shù)開發(fā)。舉凡智能手機(jī),數(shù)碼相機(jī)與個(gè)人平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)電子產(chǎn)品,所采用之?dāng)?shù)百萬像素影像傳感器,都將可藉由此項(xiàng)技術(shù)大幅提升產(chǎn)品效能,降低成本并且減少體積。

聯(lián)電公司表示,此項(xiàng)合作專案將利用IME 在12寸TSV生產(chǎn)線之晶圓薄化、接合、重布與凸塊的尖端實(shí)力,開發(fā)與CMOS影像傳感器元件相結(jié)合的TSV制程。市場上對(duì)于持續(xù)縮小像素,又能兼顧效能的需求日益攀升,因而帶動(dòng)了CMOS影像感測技術(shù)的興起,背面照度式技術(shù)則普遍被視為可讓微縮至微米級(jí)大小的像素,仍保有優(yōu)異效能的技術(shù)解決方案。此次專案目標(biāo)在于提高像素更微縮的影像傳感器之靈敏度,以便支持更高效能的應(yīng)用產(chǎn)品,包括新世代高分辨率的數(shù)碼單反像機(jī)與數(shù)碼攝像機(jī)。
聯(lián)電資深副總顏博文表示,聯(lián)電拓展與IME在背面照度式技術(shù)上應(yīng)用TSV技術(shù)的合作關(guān)系。IME在TSV集成上的專精實(shí)力,可與聯(lián)電在標(biāo)準(zhǔn)28納米CMOS制程via-middle與via-last TSV 技術(shù)之研發(fā)成果相輔相成,并將大力協(xié)助聯(lián)電擴(kuò)充CMOS影像傳感器的市場,同時(shí)鞏固技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者地位。



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