在臺(tái)積電年度技術(shù)研討會(huì)上，該公司執(zhí)行副總裁暨共同營運(yùn)長蔣尚義表示，若微影技術(shù)無法讓14nm制程達(dá)到合理的成本效益，那么臺(tái)積電可能會(huì)在20nm制程之后再提供18nm或16nm制程節(jié)點(diǎn)。

蔣尚義表示，臺(tái)積電最初計(jì)劃提供兩種20nm制程，分別為高性能制程與低功耗制程。這兩種制程都采用high-k金屬閘極(HKMG)技術(shù)。

然而，在歷經(jīng)一段時(shí)間的發(fā)展后，蔣尚義表示，臺(tái)積電認(rèn)為這兩種20nm制程之間并沒有明顯的性能差距。由于20nm的線寬非常小，已經(jīng)接近基本的物理極限了，因此也沒有太大空間針對(duì)不同的閘極長度或其他需求來調(diào)整設(shè)計(jì)規(guī)則。[!--empirenews.page--]

臺(tái)積電目前提供四種28nm制程，分別為：高性能；低功耗；針對(duì)行動(dòng)應(yīng)用的HKMG低功耗制程，以及HKMG高性能制程。

TSMC expects its 20-nm HKMG process to be in production next year. In 2015, TSMC wants to commence production at the 14-nm node, adding FinFET 3-D transistors.

臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)20nm HKMG制程。2015年，臺(tái)積電希望能量產(chǎn)采用FinFET 3D電晶體的14nm制程。

然而，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都在等待超紫外光(EUV)微影技術(shù)。EUV技術(shù)一再延宕，迄今仍未能發(fā)展出大量生產(chǎn)所需的足夠光源和穩(wěn)定性。微影設(shè)備供應(yīng)商ASML Holding NV 公司正與數(shù)家光源供應(yīng)商合作開發(fā)，并承諾在2013至2014年將可提供商用化所需的足夠的吞吐量。

然而，不少業(yè)界人士對(duì)于EUV技術(shù)能否支援臺(tái)積電和其他領(lǐng)先晶片制造商的技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖抱持懷疑態(tài)度。蔣尚義指出，193nm浸入式微影領(lǐng)域已經(jīng)展現(xiàn)出長足進(jìn)展，它甚至可能在14nm節(jié)點(diǎn)作為商用化的替代技術(shù)。然而，蔣尚義也表示，為了提供足夠銳利的影像，193nm浸入式微影針對(duì)某些層會(huì)需要三重圖案，而針對(duì)大多數(shù)的層都會(huì)需要雙重圖案，這會(huì)讓量產(chǎn)成本急遽升高。

蔣尚義表示，臺(tái)積電“正在慎重考慮”是否提供18nm或16nm制程。“一旦我們選擇這個(gè)節(jié)點(diǎn)，我們就必須為客戶提供至少10年的服務(wù)?！?/font>

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編譯：Joy Teng