王怡蘋／新竹 臺積電研究發(fā)展資深副總蔣尚義于2011年高科技產(chǎn)業(yè)論壇中，發(fā)表先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，蔣尚義分析，目前半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新遇到的挑戰(zhàn)在于微影技術(shù)、電晶體堆疊方式的革命以及隨技術(shù)演進(jìn)而攀升的成本問題，并指出半導(dǎo)體未來不只在于制造晶片，整個生產(chǎn)系統(tǒng)的革新以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)上下游合作都會是重要的趨勢。

蔣尚義分析，唯有不斷的創(chuàng)新技術(shù)才能讓臺積電持續(xù)前進(jìn)，過去使用精密的光罩技術(shù)，用193奈米的波長印至28奈米影像，但如今single pattern已經(jīng)走到盡頭，欲進(jìn)展到20奈米的影像，必須使用double pattern的方式，2片光罩印2次，才能做到。

臺積電目前引進(jìn)EUV機(jī)臺，可1次就印好，但EUV每臺要價1億美元，每小時僅能印出1.5片，產(chǎn)能及成本都還太高，若能提升到每小時100片是較理想的情況。以臺積電現(xiàn)有技術(shù)每經(jīng)過1道光罩成本都會向上攀升，在進(jìn)入20奈米甚至14奈米的世代，希望可全面使用EUV及MEBDW技術(shù)。

在電晶體的堆疊方式上，22奈米到14奈米制程，將進(jìn)展至以矽取代PCB板連接，稱為2.5D IC，臺積電預(yù)計于2013年小量生產(chǎn)，2014年量會多一些，未來趨勢則會是晶片和晶片堆疊成3D IC，可大幅提升效率，并縮小IC體? n，但目前還很不容易，若可能應(yīng)該是從記憶體IC開始，據(jù)傳三星已預(yù)計在2013年開始生產(chǎn)，邏輯IC則較困難，蔣尚義認(rèn)為5年內(nèi)應(yīng)該都沒有可能性。

此外，臺積電也將創(chuàng)新轉(zhuǎn)向整體系統(tǒng)，不只是制造晶片(IC-scaling)，而是整個系統(tǒng)有何改進(jìn)空間(System-scaling)，增進(jìn)整個系統(tǒng)的效能、模式等。

蔣尚義也指出，在現(xiàn)有證明可行的技術(shù)上，做到7奈米制程是可能的，但成本還是非常高，光是進(jìn)入28奈米，對臺積電成本就已經(jīng)增加了極大的幅= ，450mm晶圓可能是降低成本的一個方法，在成本上可減少30%左右，如何構(gòu)思出更好的生產(chǎn)系統(tǒng)，是臺積電目前努力的方向。

最后，相關(guān)產(chǎn)業(yè)上下游的合作(Ecosystem)也是未來必然的趨勢，臺積電需要EDA廠商、IP廠商及各IC業(yè)者合作，單打獨(dú)斗無法成功，蔣尚義表示，相關(guān)產(chǎn)業(yè)一同努力的建立起產(chǎn)業(yè)生態(tài)、降低生產(chǎn)成本，才能讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展、前進(jìn)下去，并期待更多的