晶圓代工大廠聯(lián)電（2303）昨（6）日宣布與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協(xié)議，聯(lián)電推出的28納米高介電金屬閘極（HKMG）的高效能行動（HPM）制程技術(shù)，將集成安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）。聯(lián)電希望能夠藉此爭取到更多智能型手機(jī)及平板計算機(jī)等行動裝置ARM架構(gòu)處理器代工訂單，包括大客戶德儀計劃于明年開始生產(chǎn)的28納米OMAP 5處理器。

歐美財政問題持續(xù)影響全球經(jīng)濟(jì)，新興市場通膨問題也壓抑了終端需求，傳統(tǒng)功能型手機(jī)（feature phone）及筆記本電腦等電子產(chǎn)品出貨成長趨緩，讓手機(jī)及筆記本應(yīng)用芯片需求疲弱，但是智能型手機(jī)及平板計算機(jī)等行動裝置采用的ARM架構(gòu)處理器，卻因市場才剛起飛，是今年下半年以來需求最強(qiáng)的處理器芯片。

聯(lián)電過去接單集中在傳統(tǒng)手機(jī)及筆記本應(yīng)用芯片，因此今年下半年營運表現(xiàn)遠(yuǎn)不如競爭對手臺積電，為了打破此一困境，聯(lián)電已開始鎖定行動裝置應(yīng)用芯片，規(guī)劃出新制程及建置新產(chǎn)能，而聯(lián)電此次與安謀的合作，就是要爭取28納米ARM架構(gòu)處理器的代工訂單。

聯(lián)電負(fù)責(zé)客戶工程與IP研發(fā)設(shè)計支持的副總經(jīng)理簡山杰表示，該公司與安謀合作已超過10年時間，此次由聯(lián)電贊助的研發(fā)計劃，使客戶能在聯(lián)電多樣化的尖端制程上，采用最完整的ARM實體IP解決方案，進(jìn)而掌握關(guān)鍵市場先機(jī)，達(dá)到更快速的產(chǎn)品上市時程。此項合作再一次彰顯了聯(lián)電在28納米制程持續(xù)投資的決心。

ARM實體IP部門執(zhí)行副總裁暨總經(jīng)理Simon Segars表示，聯(lián)電采用ARM Artisan實體IP，來支持28納米HPM制程，雙方客戶將可在聯(lián)電28納米HKMG制程上，取得完整實體IP解決方案，尤其適用高效能處理器如ARM Cortex-A的設(shè)計，此合作可促進(jìn)雙方在制程技術(shù)與28納米制程上實體IP協(xié)力研發(fā)，可帶來效能最佳化、節(jié)能效益、提升芯片密度等優(yōu)點。