[導讀]9月17日，Global Foundries在上海召開了2011年全球技術論壇（GTC 2011）。Global Foundries官方已啟用正式中文名字為格羅方德半導體，該公司全球CEO Ajit Manocha在會上表示，在28納米制程上已經有客戶投產，其余客戶
9月17日，Global Foundries在上海召開了2011年全球技術論壇（GTC 2011）。Global Foundries官方已啟用正式中文名字為格羅方德半導體，該公司全球CEO Ajit Manocha在會上表示，在28納米制程上已經有客戶投產，其余客戶處于規(guī)格測試階段，預期2012年可望大規(guī)模量產。與臺積電今年底量產28納米制程相較，雙方差距已經不到一年。格羅方德半導體成立之后，瞬間擠身全球第三大晶圓代工廠，與聯電的市占率差距在5％以內，在28納米的先進制程上更是緊追臺積電，格羅方德半導體此次舉行成立以來第二屆的技術論壇，規(guī)模更甚以往，除CEO Ajit Manocha以外，研發(fā)資深副總裁Gregg Bartlett、設計實行部門資深副總裁Mojy Chian、新加坡總經理Raj Kumar等所有高層皆出席并發(fā)表公司合作發(fā)展策略與對外宣布公司2012先進制程布局規(guī)劃。
面對歐美債務信用問題席卷全球，全球總體經濟出現放緩趨勢，格羅方德半導體雖然在先進制程上維持滿載，但是該公司也透露，在主流制程上出現需求疲軟的狀況。公司CEO Ajit Manocha在論壇上表示，“觀察到這一輪終端市場成長的放緩，但公司的愿景以及對顧客的承諾和資本支出都不會改變，特別是公司觀察到主流技術65納米以上的市場趨緩，先進技術制程卻仍供不應求”。格羅方德在每年1月會公布當年度的資本支出，今年該公司原定的資本支出達54億美元，較去年度的27億美元大幅成長一倍之多，也連續(xù)兩年大幅度超出聯電資本支出。由于全球經濟疲軟以及市場需求不明等因素，當前的半導體代工行業(yè)應該說風險不小。不過從上世紀80年代至今，半導體行業(yè)已經由150億美元的規(guī)模發(fā)展到3140億美元的規(guī)模了，而且預計未來還將繼續(xù)增長，因為全世界正趨向引入越來越多的互連設備。格羅方德公司市場營銷部門副總裁Jim Kupec則提到，今天的市場對于新設備最大的推動力往往來自年輕人，雖然這可能并非全部的事實，但是目前確實越來越多的產品是針對年輕人市場的。
這就是說，格羅方德并不打算完全地放慢其投資腳步，因為該公司正忙于在所有旗下的設施進行投資。就目前的情況而言，格羅方德公司的紐約工廠已經提前兩個月進入了“設備準備”階段，而今年之內該公司應該可以在紐約進行試生產，當然在明年年初之前此工廠全面投產的可能性不大。另外在德國的Fab 1工廠今年早些時候也已經開始量產32納米的AMD處理器芯片，同時其還在進行28納米量產測試，預計在不遠的將來格羅方德的Fab 1工廠將可以過渡到28納米制造工藝。在新加坡的Fab 7工廠，目前格羅方德已經完成了升級，并且可以生產40納米到65納米的半導體芯片，并且最終該工廠還將進入到300mm晶圓領域。
當然整個行業(yè)更關心的是格羅方德的未來技術路線圖。到2012年，格羅方德預計將開始量產其28納米產品，甚至還可以初期量產部分20納米產品，而20納米的初期量產應該會在美國的Fab 8工廠。更進一步至明年上半年，格羅方德預計將提升Fab 1，Fab 7以及Fab 8等工廠的產能，因為該公司預計所謂領先尖端技術（65納米及其以下）領域的需求將會增長，而這也是格羅方德希望獲得70%營收比例的一個領域。
格羅方德還解決了其高K金屬柵極制造工藝技術領域的一些問題，此前一些外行觀察者曾一直死抓這一點不放。目前格羅方德已經生產出了2GHz主頻的ARM Cortex-A9測試芯片，該芯片采用了其28納米SLP技術，并且在28納米HPP制程下，該處理器甚至可以達到3GHz主頻。除此之外，AMD的A系列Fusion處理器也在采用格羅方德的HKMG制造工藝，而且盡管有所延期，但是目前該系列產品已經實現量產，當然由于與AMD之間的一些保密協議，格羅方德并未透露更多詳情。至少在未來的12個月時間里，所有AMD未來推出的處理器產品都將基于格羅方德的32納米HKMG制造工藝，其中包括即將推出的FX系列以及AMD的下一代A系列APU處理器。
GF、IBM和三星聯盟斗TSMC
那么到底什么是SLP和HPP呢？這些都是一些字母縮寫，SLP是Super Lowe Power超低功耗的縮寫，這項技術可以適用于應用處理器，蜂窩基帶以及各種SoC芯片，最終體現在消費電子產品上。這是一項低成本技術，同時也是為低功耗設備設計的。HPP則是High Performance Plus高性能疊加技術的縮寫，它可以用于一些高性能CPU，各種的高端網絡解決方案以及游戲機等。LPH則是SLP和HPP的折中方案，它是Low Power,High Performance的縮寫，這一技術最近出現在了格羅方德的路線圖內，預計該公司將會把此技術用于筆記本電腦處理器，顯卡產品，平板芯片以及機頂盒等SoC芯片上，當然其它一些廣泛領域也會用到相應技術。
到2013年底或者2014年初，格羅方德預計將會首次開始量產其20納米芯片，我們將可以看到從28納米到20納米的全節(jié)點過渡，同時柵極密度將會達到雙倍級別，進而導致產品性能提升高達35%乃至更多。由于各種原因，格羅方德將會于20納米時代轉至Gate Last技術，因為明顯Gate First技術在20納米制造工藝上并不具備優(yōu)勢，至少不像28納米或者32納米時代那樣。另外格羅方德的產品將從28納米時代的三大類別壓縮到兩大類別 。而LPH和SLP技術也將會進化到一種叫作LPM的技術，而HPP則會過渡到SHP階段，在這里LPM將會覆蓋大部分的產品，而SHP則將會面向格羅方德所謂的“極高端性能”產品，比如說芯片頻率在4GHz以及更高水平的產品。在格羅方德從28納米過渡到20納米之后，除了性能的提升之外，還可以看到新工藝帶來其它好處 ，比如說功耗降低30%到50%。
在20納米之后，格羅方德的未來并不那么清晰。雖然格羅方德的路線圖將下一場變革指向了14納米工藝，但是這一過渡在路線圖里顯示是在2014年或者2015年的，這就是說格羅方德預計最早會于明年下半年在Fab 8工廠安裝測試設備，該設備將采用EUV技術，而該技術在低于20納米的工藝上是必須的。此外是否使用3D FinFET晶體管技術，公司也還沒有決定，在20納米時代肯定仍舊用傳統的平面晶體管技術。另外格羅方德還提到了3D封裝，但是并未透露更多細節(jié)，不過與Amkor等封裝公司的合作是確定的事情，這些都需要等待時間來回答。
相較于臺積電對三星步步進逼晶圓代工極為防備，格羅方德半導體采取開放態(tài)度，與三星針對28納米HKMG技術合作，并開放旗下共四座12寸晶圓廠供客戶自由下單，目標鎖定智能手機、平板電腦核心處理器訂單，對臺積電造成威脅。Ajit Manocha表示，格羅方德重視與三星這種IDM廠的合作關系，未來如果市場成熟，會有更多的策略合作伙伴。同時為了更好地服務于無晶圓芯片設計公司，他們已經與全球的EDA廠商、設計服務商和IP供應商組成了全球設計服務網絡，可以在全球范圍內支持芯片設計公司，真正體現了公司名字里面Global的涵義。[!--empirenews.page--]
由格羅方德、IBM和三星組成的三角聯盟已經給全球晶圓代工老大臺積電帶來了巨大的沖擊，該聯盟的技術、資本和規(guī)模都已經不落下風，由此可能帶來整個半導體代工產業(yè)的洗牌，讓我們拭目以待好戲的上演。
面對歐美債務信用問題席卷全球，全球總體經濟出現放緩趨勢，格羅方德半導體雖然在先進制程上維持滿載，但是該公司也透露，在主流制程上出現需求疲軟的狀況。公司CEO Ajit Manocha在論壇上表示，“觀察到這一輪終端市場成長的放緩，但公司的愿景以及對顧客的承諾和資本支出都不會改變，特別是公司觀察到主流技術65納米以上的市場趨緩，先進技術制程卻仍供不應求”。格羅方德在每年1月會公布當年度的資本支出，今年該公司原定的資本支出達54億美元，較去年度的27億美元大幅成長一倍之多，也連續(xù)兩年大幅度超出聯電資本支出。由于全球經濟疲軟以及市場需求不明等因素，當前的半導體代工行業(yè)應該說風險不小。不過從上世紀80年代至今，半導體行業(yè)已經由150億美元的規(guī)模發(fā)展到3140億美元的規(guī)模了，而且預計未來還將繼續(xù)增長，因為全世界正趨向引入越來越多的互連設備。格羅方德公司市場營銷部門副總裁Jim Kupec則提到，今天的市場對于新設備最大的推動力往往來自年輕人，雖然這可能并非全部的事實，但是目前確實越來越多的產品是針對年輕人市場的。
這就是說，格羅方德并不打算完全地放慢其投資腳步，因為該公司正忙于在所有旗下的設施進行投資。就目前的情況而言，格羅方德公司的紐約工廠已經提前兩個月進入了“設備準備”階段，而今年之內該公司應該可以在紐約進行試生產，當然在明年年初之前此工廠全面投產的可能性不大。另外在德國的Fab 1工廠今年早些時候也已經開始量產32納米的AMD處理器芯片，同時其還在進行28納米量產測試，預計在不遠的將來格羅方德的Fab 1工廠將可以過渡到28納米制造工藝。在新加坡的Fab 7工廠，目前格羅方德已經完成了升級，并且可以生產40納米到65納米的半導體芯片，并且最終該工廠還將進入到300mm晶圓領域。
當然整個行業(yè)更關心的是格羅方德的未來技術路線圖。到2012年，格羅方德預計將開始量產其28納米產品，甚至還可以初期量產部分20納米產品，而20納米的初期量產應該會在美國的Fab 8工廠。更進一步至明年上半年，格羅方德預計將提升Fab 1，Fab 7以及Fab 8等工廠的產能，因為該公司預計所謂領先尖端技術（65納米及其以下）領域的需求將會增長，而這也是格羅方德希望獲得70%營收比例的一個領域。
格羅方德還解決了其高K金屬柵極制造工藝技術領域的一些問題，此前一些外行觀察者曾一直死抓這一點不放。目前格羅方德已經生產出了2GHz主頻的ARM Cortex-A9測試芯片，該芯片采用了其28納米SLP技術，并且在28納米HPP制程下，該處理器甚至可以達到3GHz主頻。除此之外，AMD的A系列Fusion處理器也在采用格羅方德的HKMG制造工藝，而且盡管有所延期，但是目前該系列產品已經實現量產，當然由于與AMD之間的一些保密協議，格羅方德并未透露更多詳情。至少在未來的12個月時間里，所有AMD未來推出的處理器產品都將基于格羅方德的32納米HKMG制造工藝，其中包括即將推出的FX系列以及AMD的下一代A系列APU處理器。
GF、IBM和三星聯盟斗TSMC
那么到底什么是SLP和HPP呢？這些都是一些字母縮寫，SLP是Super Lowe Power超低功耗的縮寫，這項技術可以適用于應用處理器，蜂窩基帶以及各種SoC芯片，最終體現在消費電子產品上。這是一項低成本技術，同時也是為低功耗設備設計的。HPP則是High Performance Plus高性能疊加技術的縮寫，它可以用于一些高性能CPU，各種的高端網絡解決方案以及游戲機等。LPH則是SLP和HPP的折中方案，它是Low Power,High Performance的縮寫，這一技術最近出現在了格羅方德的路線圖內，預計該公司將會把此技術用于筆記本電腦處理器，顯卡產品，平板芯片以及機頂盒等SoC芯片上，當然其它一些廣泛領域也會用到相應技術。
到2013年底或者2014年初，格羅方德預計將會首次開始量產其20納米芯片，我們將可以看到從28納米到20納米的全節(jié)點過渡，同時柵極密度將會達到雙倍級別，進而導致產品性能提升高達35%乃至更多。由于各種原因，格羅方德將會于20納米時代轉至Gate Last技術，因為明顯Gate First技術在20納米制造工藝上并不具備優(yōu)勢，至少不像28納米或者32納米時代那樣。另外格羅方德的產品將從28納米時代的三大類別壓縮到兩大類別 。而LPH和SLP技術也將會進化到一種叫作LPM的技術，而HPP則會過渡到SHP階段，在這里LPM將會覆蓋大部分的產品，而SHP則將會面向格羅方德所謂的“極高端性能”產品，比如說芯片頻率在4GHz以及更高水平的產品。在格羅方德從28納米過渡到20納米之后，除了性能的提升之外，還可以看到新工藝帶來其它好處 ，比如說功耗降低30%到50%。
在20納米之后，格羅方德的未來并不那么清晰。雖然格羅方德的路線圖將下一場變革指向了14納米工藝，但是這一過渡在路線圖里顯示是在2014年或者2015年的，這就是說格羅方德預計最早會于明年下半年在Fab 8工廠安裝測試設備，該設備將采用EUV技術，而該技術在低于20納米的工藝上是必須的。此外是否使用3D FinFET晶體管技術，公司也還沒有決定，在20納米時代肯定仍舊用傳統的平面晶體管技術。另外格羅方德還提到了3D封裝，但是并未透露更多細節(jié)，不過與Amkor等封裝公司的合作是確定的事情，這些都需要等待時間來回答。
相較于臺積電對三星步步進逼晶圓代工極為防備，格羅方德半導體采取開放態(tài)度，與三星針對28納米HKMG技術合作，并開放旗下共四座12寸晶圓廠供客戶自由下單，目標鎖定智能手機、平板電腦核心處理器訂單，對臺積電造成威脅。Ajit Manocha表示，格羅方德重視與三星這種IDM廠的合作關系，未來如果市場成熟，會有更多的策略合作伙伴。同時為了更好地服務于無晶圓芯片設計公司，他們已經與全球的EDA廠商、設計服務商和IP供應商組成了全球設計服務網絡，可以在全球范圍內支持芯片設計公司，真正體現了公司名字里面Global的涵義。[!--empirenews.page--]
由格羅方德、IBM和三星組成的三角聯盟已經給全球晶圓代工老大臺積電帶來了巨大的沖擊，該聯盟的技術、資本和規(guī)模都已經不落下風，由此可能帶來整個半導體代工產業(yè)的洗牌，讓我們拭目以待好戲的上演。
下載文檔
