[導(dǎo)讀]20和14奈米先進(jìn)制程的極紫外光微影(EUV)制程與多重電子束(MEB)無光罩微影技術(shù)尚未完備,且生產(chǎn)成本仍大幅超出市場預(yù)期,量產(chǎn)時(shí)程延緩將在所難免。因此,在先進(jìn)制程技術(shù)面臨關(guān)卡之際,臺積電積極鎖定三維晶片(3D IC)商
20和14奈米先進(jìn)制程的極紫外光微影(EUV)制程與多重電子束(MEB)無光罩微影技術(shù)尚未完備,且生產(chǎn)成本仍大幅超出市場預(yù)期,量產(chǎn)時(shí)程延緩將在所難免。因此,在先進(jìn)制程技術(shù)面臨關(guān)卡之際,臺積電積極鎖定三維晶片(3D IC)商機(jī),并展開關(guān)鍵的矽穿孔(TSV)技術(shù)布局,以進(jìn)一步擴(kuò)大晶圓代工范疇與獲利來源。
臺積電先進(jìn)模組技術(shù)發(fā)展資深處長余振華表示,未來3D IC的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)包括矽穿孔制程、薄晶圓處理與提升已知良裸晶的比率,要進(jìn)入量產(chǎn)仍有一段長遠(yuǎn)的路要走。
臺積電研發(fā)副總經(jīng)理林本堅(jiān)表示,臺積電一直戮力推升制程技術(shù)來維持摩爾定律的步調(diào),目前28奈米采用的光微影制程已可在每個(gè)關(guān)鍵層上進(jìn)行多重曝光(Multple Patterning),進(jìn)而降低成本及提高設(shè)計(jì)彈性。然而,就臺積電原先規(guī)畫每兩年即走入下一代制程的腳步而言,28奈米要在2011年邁開量產(chǎn)步伐已有所延宕。主因在于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在下半年陷入一團(tuán)景氣迷霧,影響廠商投片意愿趨向保守,故預(yù)計(jì)28奈米在今年第四季僅可小幅試產(chǎn),明年初高通(Qualcomm)、Altera、賽靈思(Xilinx)及NVIDIA訂單陸續(xù)到位后才能進(jìn)入量產(chǎn)。
林本堅(jiān)也透露,針對20和14奈米先進(jìn)制程應(yīng)用的EUV及MEB工具估計(jì)在2012~2013年方能完備,目前20奈米晶圓試產(chǎn)仍須透過多重曝光技術(shù),致使成本加劇且效率減半,在2013年步入量產(chǎn)的進(jìn)度明顯落后。再加上14奈米晶圓將以EUV或MEB技術(shù)產(chǎn)出仍未做出最終決定,而試產(chǎn)結(jié)果每小時(shí)曝光量更低于一百片的期望值約十倍,成本遠(yuǎn)高于市場可接受度,故原訂于2015年啟動量產(chǎn)的計(jì)劃亦難以達(dá)標(biāo)。
在先進(jìn)制程頻頻碰壁之下,臺積電亟欲掌握3D IC蓄勢待發(fā)的商機(jī),并藉晶圓廠的整合能力將觸角伸及封裝領(lǐng)域,以填補(bǔ)未來營收因先進(jìn)制程導(dǎo)入速度不如預(yù)期的空缺。臺積電先進(jìn)模組技術(shù)發(fā)展資深處長余振華指出,行動裝置輕薄短小的設(shè)計(jì)風(fēng)潮,已帶動晶片架構(gòu)的典范轉(zhuǎn)移,逐步朝System Scaling的立體堆疊形式發(fā)展,以提高效能并縮減占位空間;而臺積電正積極發(fā)展3D IC架構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)--矽穿孔,并結(jié)合現(xiàn)有的晶圓級封裝(WLP)與可堆疊式封裝(PoP)打造完整的3D IC流程解決方案,進(jìn)一步瞄準(zhǔn)未來行動裝置及云端設(shè)備對3D IC的殷切需求,搶先卡位市場商機(jī)。
值得一提的是,關(guān)于3D IC的生產(chǎn)流程須在前端晶圓代工制程進(jìn)行穿孔,亦或在后端封裝(OSAT)制程才執(zhí)行,仍處在一片激烈的唇槍舌戰(zhàn)中。余振華認(rèn)為,在晶圓代工階段即導(dǎo)入矽穿孔制程,對晶片業(yè)者來說較具競爭力,因?yàn)榫A廠對整個(gè)晶片設(shè)計(jì)的掌握度較佳且新投入設(shè)備成本較少,能快速完成IC與銅線的立體疊合,藉以滿足客戶控管生產(chǎn)成本及加快產(chǎn)品上市時(shí)程的考量。此外,晶片走入更先進(jìn)制程后,更薄、更小的體積也將拉高矽穿孔的技術(shù)門檻,屆時(shí),封裝廠勢必要投入更多設(shè)備,加諸大量成本于產(chǎn)出流程中,將與客戶的成本考量大相逕庭。
囿于臺積電積極拓展業(yè)務(wù)范疇,亦已引起封裝廠對其踩進(jìn)地盤的疑慮,一場3D IC的競賽醞釀開打。日月光總經(jīng)理唐和明強(qiáng)調(diào),3D IC雖被視為未來晶片發(fā)展趨勢,但目前整個(gè)供應(yīng)鏈尚未明朗,預(yù)期要到2013年才望導(dǎo)入量產(chǎn),因此現(xiàn)在討論封裝形式言猶過早。況且3D IC的全新架構(gòu)帶來極大改變,并非僅著眼于前端或后端制程執(zhí)行矽穿孔,關(guān)鍵在于晶圓代工廠、元件整合制造商(IDM)及封裝廠如何創(chuàng)造新的垂直合作關(guān)系,簡而言之,人人皆可望分一杯羹。
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LED驅(qū)動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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驅(qū)動電源
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工業(yè)電機(jī)
驅(qū)動電源
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驅(qū)動電源
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散熱
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LED
設(shè)計(jì)
驅(qū)動電源
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LED照明技術(shù)
電磁干擾
驅(qū)動電源
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LED
驅(qū)動電源
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LED驅(qū)動電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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LED
隧道燈
驅(qū)動電源
LED驅(qū)動電源在LED照明系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。由于LED具有節(jié)能、環(huán)保、長壽命等優(yōu)點(diǎn),使得LED照明在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,LED的電流、電壓特性需要特定的驅(qū)動電源才能正常工作。本文將介紹常用的LED驅(qū)動電...
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LED驅(qū)動電源
led照明
LED驅(qū)動電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動LED發(fā)光的電源轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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驅(qū)動電源
高壓工頻交流
崧盛股份9日發(fā)布投資者關(guān)系活動記錄表,就植物照明發(fā)展趨勢、行業(yè)壁壘等問題進(jìn)行分享。植物照明未來市場需求廣闊崧盛股份指出,植物照明將會走向長期產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。主要原因有三:第一,LED植物照明賦能終端種植更具有經(jīng)濟(jì)價(jià)值。由于LE...
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崧盛股份
驅(qū)動電源
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驅(qū)動電源
高壓直流
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驅(qū)動電源
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驅(qū)動電源
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