臺積電仍信心喊話，除了第4季營運可望好轉(zhuǎn)，臺積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義昨（7）日出席臺灣半導體展（SEMICON Taiwan）指出，28納米能拿到的訂單都拿到了，明年需求非常好，現(xiàn)在產(chǎn)能全數(shù)滿載。

此外，臺積電20納米研發(fā)進展順利，將于明年9月量產(chǎn)，18寸晶圓將于2015年在新竹建立生產(chǎn)線試產(chǎn)。

歐洲債信危機及美國失業(yè)率居高不下等問題，持續(xù)影響全球總體經(jīng)濟及終端需求，半導體市場第3季旺季不旺，第4季能否止跌回升，至今仍是眾說紛云。臺積電位于電子生產(chǎn)鏈最上游，近期已感受到訂單開始回流，其中28納米先進制程訂單陸續(xù)到位，對第4季產(chǎn)能利用率回升有很大的幫助。

蔣尚義表示，臺積電28納米目前已完成設(shè)計定案（tape-out）并開始交貨的芯片，所有性能都達到要求，對此相當滿意，而28納米能拿到的訂單也都拿到了，目前28納米產(chǎn)能全滿，明年28納米的需求將會非常好。

據(jù)設(shè)備業(yè)者表示，臺積電第4季開始投片生產(chǎn)的28納米訂單，包括阿爾特拉（Altera）及賽靈思（Xilinx）的可程序邏輯閘陣列（FPGA）芯片、高通3G基頻芯片及Snapdragon處理器、超微及輝達（NVIDIA）的新一代繪圖芯片等。明年第1季開始，包括瑞薩、富士通、博通等訂單也將陸續(xù)到位。

臺積電20納米研發(fā)進展順利，明年9月就會導入量產(chǎn)，明年要開始進行的14納米制程研發(fā)，也到了要決定使用何種微影技術(shù)，包括極紫外光（EUV）或多重曝光浸潤式顯影技術(shù)。蔣尚義表示，EUV的設(shè)備機臺目標是每小時產(chǎn)出100片晶圓，但現(xiàn)在研發(fā)機臺只能產(chǎn)出5片，多重電子束（MEB）只有1片，離量產(chǎn)效率還差很遠。

蔣尚義表示，20納米世代EUV技術(shù)尚未完備，所以仍采用多重曝光技術(shù)，但有成本增加且效率減半的問題，客戶轉(zhuǎn)換制程意愿會降低，因此，隨著制程持續(xù)微縮，除了靠微影技術(shù)上的突破外，只好移往大尺寸的18寸晶圓生產(chǎn)。對臺積電來說，移轉(zhuǎn)到18寸晶圓，人力及廠房數(shù)均可減少，還可降低水電耗費，2015年會在新竹建立生產(chǎn)線試產(chǎn)，但量產(chǎn)時間現(xiàn)在仍難以預(yù)估。