法國Yole Developpement公司MEMS及高級封裝技術(shù)市場分析師Jerome Baron（點(diǎn)擊放大）
“在處于半導(dǎo)體前工序和后工序中間位置的“中端”領(lǐng)域，潛藏著新的成長機(jī)會”。法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的分析師Jerome Baron這樣指出。具有代表性的技術(shù)包括晶圓級封裝（WLP）及采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板等。

中端領(lǐng)域的技術(shù)之所以變得重要，原因之一是封裝基板的成本暴漲。例如，倒裝芯片BGA（FC-BGA）的芯片成本為1美元，而封裝基板的成本為1～2美元的情況不在少數(shù)。這是因?yàn)椋S著微細(xì)化的發(fā)展芯片面積不斷縮小，但芯片上的端子數(shù)反倒增加，使得配備芯片的BGA基板變得極其復(fù)雜。

Baron表示，為解決該課題，扇出型WLP和硅轉(zhuǎn)接板等中端領(lǐng)域的技術(shù)受到了關(guān)注。

扇出型WLP是在樹脂晶圓中植入單個(gè)芯片，利用晶圓工藝形成再布線層的技術(shù)。利用再布線層取代了封裝基板，因此“可以實(shí)現(xiàn)無基板化”（Baron）。現(xiàn)已用于手機(jī)的基帶處理器等，預(yù)計(jì)今后將以后工序受托企業(yè)為中心擴(kuò)大應(yīng)用。

硅轉(zhuǎn)接板是在老式半導(dǎo)體生產(chǎn)線上生產(chǎn)的高密度硅封裝基板。目前存在成本高的課題，不過在高性能ASIC和FPGA中今后極有可能擴(kuò)大應(yīng)用。因?yàn)樵瓉淼挠袡C(jī)基板無法滿足高性能化和高密度化的要求。

前工序和后工序的中間領(lǐng)域存在商機(jī)（點(diǎn)擊放大） 預(yù)計(jì)中端領(lǐng)域的代表性技術(shù)WLP將實(shí)現(xiàn)高增長率（點(diǎn)擊放大）

高性能有機(jī)基板包括去掉了內(nèi)核層的無芯基板（參閱本站報(bào)道）。無芯基板因封裝基板成本有望較原來削減20％左右而備受關(guān)注，不過Baron認(rèn)為其將來會被硅轉(zhuǎn)接板取代。原因是，硅轉(zhuǎn)接板與芯片之間的熱膨脹系數(shù)差較小，還容易用于三維積層芯片的3D-IC用途。

除了后工序的專業(yè)廠商外，臺灣TSMC等前工序的硅代工企業(yè)也涉足了這種中端領(lǐng)域的市場。因此，估計(jì)今后前工序廠商和后工序廠商之間的競爭將愈演愈烈。另外，Baron還指出，隨著中端領(lǐng)域技術(shù)的發(fā)展，原來的封裝基板廠商將“不得不大幅改變業(yè)務(wù)”。（記者：木村 雅秀）