竣工儀式的剪彩儀式（點擊放大）

在竣工宴會上致辭的東芝佐佐木（點擊放大）
東芝宣布，該公司在四日市工廠（三重縣四日市市）內(nèi)建設(shè)的NAND閃存新制造廠房“Fab5”已經(jīng)竣工并投產(chǎn)。該廠房將成為24nm工藝以后的最尖端NAND閃存以及東芝定位為“后NAND存儲器”的三維NAND閃存的主力工廠。該工廠已從2011年7月開始量產(chǎn)24nm工藝產(chǎn)品，從8月開始供貨產(chǎn)品。生產(chǎn)設(shè)備投資為東芝的NAND閃存業(yè)務(wù)合作伙伴——美國晟碟（SanDisk）共同出資。出資比例為東芝50.1％，晟碟49.9％。

Fab5是繼“Fab3”和“Fab4”之后在四日市工廠建成的第三條300mm晶圓生產(chǎn)線，于2010年7月開工建設(shè)。此次啟動的是占Fab5整體1/2的“第1期”潔凈室。在其中約一半（Fab5整體的1/4）的潔凈室內(nèi)搬入部分裝置開始量產(chǎn)。今后，將根據(jù)市場動向追加投資，擴充產(chǎn)能。據(jù)介紹，第2期潔凈室預(yù)定2013年度開工建設(shè)，2013年度底～2014年度投產(chǎn)。

東芝和晟碟于2011年7月12日在四日市工廠內(nèi)舉行了Fab5竣工儀式。在Fab5的竣工宴會上致辭的東芝代表執(zhí)行董事社長佐佐木則夫強調(diào)了NAND閃存業(yè)務(wù)對該公司的重要性，“我們的成長支柱是半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，一直以來投資最多的也是半導(dǎo)體”，他還表示，“我們計劃將Fab5建成世界上最強大的存儲器生產(chǎn)基地。向最尖端技術(shù)進行投資也是對東日本大地震復(fù)興的支援”。晟碟公司總裁兼CEO桑賈·梅洛特（Sanjay Mehrotra）表示，“我們與東芝共同運營的四日市工廠目前已經(jīng)成長為占全球NAND閃存bit供貨量45％的工廠。Fab5是我們與東芝合作關(guān)系的新里程碑。我非常高興在發(fā)生東日本大地震后我們?nèi)阅茼樌懂a(chǎn)”。東芝的佐佐木在竣工宴會之前接受了媒體采訪，他表示將以Fab5為主力，“盡快在NAND閃存市場上奪取份額首位的寶座”。

東芝目前正量產(chǎn)NAND閃存的最尖端產(chǎn)品——24nm工藝產(chǎn)品。繼24nm之后，已從2011年4月開始樣品供貨19nm工藝產(chǎn)品，并將從7月開始量產(chǎn)。此次投產(chǎn)的Fab5已開始量產(chǎn)24nm工藝產(chǎn)品，今后將逐漸過渡至19nm工藝以后的尖端工藝產(chǎn)品生產(chǎn)。

關(guān)于NAND閃存的微細化，東芝表示，繼19nm之后，1Y（Y為8～5）nm工藝乃至下一代1Z（Z為4～0）nm工藝也有望實現(xiàn)實用化。另外，還計劃與其同時推進后NAND存儲器的實用化。該公司將三維層積存儲器單元的三維NAND閃存作為其候補，其中將該公司的自主技術(shù)“BiCS作為最有力候補”（東芝執(zhí)行董事常務(wù)、半導(dǎo)體＆存儲器公司存儲器業(yè)務(wù)部長成毛康雄）。關(guān)于后NAND存儲器的量產(chǎn)時間，成毛康雄表示，“計劃2013年量產(chǎn)”。

Fab5導(dǎo)入了與Fab3和Fab4廠房之間相互搬運晶圓的系統(tǒng)，構(gòu)筑了一個高效率的生產(chǎn)體制。另外，通過導(dǎo)入LED照明產(chǎn)品和節(jié)能型生產(chǎn)設(shè)備等，將CO2排放量較Fab4削減了12％。此外，還具有免震構(gòu)造和電壓補償裝置。

繼Fab5之后，“Fab6”目前“正考慮在哪里建設(shè)等問題。將在考慮（日本國內(nèi)的）電力供給等問題的基礎(chǔ)上，探討Fab6的建設(shè)”（東芝的佐佐木）。（記者：大下 淳一）


在竣工宴會上致辭的東芝佐佐木（點擊放大）

晟碟的梅洛特（點擊放大）

竣工的Fab5第1期廠房 （點擊放大）

東芝定于2011年7月開始量產(chǎn)的19nm工藝產(chǎn)品 （點擊放大）