根據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)日前所發(fā)布的一份報告，芯片代工巨擘臺積電(TSMC)公司可望在2011年底前推出首款具3D互連的半導(dǎo)體產(chǎn)品，因而可能和已經(jīng)宣布即將推出首款3D芯片的英特爾形成潛在的競爭關(guān)系。

TAITRA發(fā)表的這份報告中引用一項匿名的消息來源指出，臺積電預(yù)計推出3D芯片的時間點(diǎn)剛好與全球最大芯片制造商──英特爾的3D產(chǎn)品時間表不謀而合。英特爾公司在今年五月時曾大張旗鼓地宣布將在今年年底前開始大量生產(chǎn)采用三柵極晶體管的3D芯片(參閱電子工程專輯報道：圖解英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進(jìn)入22nm時代)。

雖然TAITRA的報告可能使臺積電與英特爾處于競相推出首款3D芯片的競爭地位，但事實上這兩種3D技術(shù)是相當(dāng)不同的。臺積電和其他廠商為此3D互連芯片開發(fā)相關(guān)技術(shù)已經(jīng)有很長一段時間了。他們采用一種“硅過孔”(TSV)技術(shù)，在相同的封裝中直接穿過封裝芯片垂直連接不同的晶片層。而英特爾的三閘技術(shù)事實上是一種3D晶體管，即所謂的“鰭場效應(yīng)晶體管”(FinFET)──以其硅晶通道就像是從半導(dǎo)體基板突出的一種鰭狀設(shè)計。

根據(jù)TAITRA的分析報告，臺積電的這種3D技術(shù)可為單一芯片增加1,000倍的晶體管密度，預(yù)計能讓3D設(shè)備耗用更少50%的能源。此外，根據(jù)這份報告，這種新3D技術(shù)還能夠解決一些以往傳統(tǒng)“平面”晶體管所帶來的難題──電子只能進(jìn)行2D的遷移或移動。


基于硅過孔技術(shù)的3D芯片堆疊結(jié)構(gòu)

這份報告中也引述了臺積電資深研發(fā)副總裁蔣尚義的話：臺積電一直與芯片封裝廠、自動化軟件設(shè)計供應(yīng)商們密切合作，以實現(xiàn)商用化的3D芯片技術(shù)。

基于硅過孔技術(shù)的3D IC

基于硅過孔(TSV，Through Silicon Via)技術(shù)的3D IC是一種系統(tǒng)級架構(gòu)的新方法，內(nèi)部含有多個平面器件層的疊層，并經(jīng)由穿透硅通孔在垂直方向?qū)崿F(xiàn)相互連接。采用這種方式可以大幅縮小芯片尺寸，提高芯片的晶體管密度，改善層間電氣互聯(lián)性能，提升芯片運(yùn)行速度，降低芯片的功耗。在設(shè)計階段導(dǎo)入3D IC的概念，可以將一個完整、復(fù)雜的芯片，拆分成若干子功效芯片，在不同層實現(xiàn)，既增強(qiáng)了芯片功能，又避免了相關(guān)的成本、設(shè)計復(fù)雜度增加等問題。


TSV微導(dǎo)孔的結(jié)構(gòu)圖

盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術(shù)的實際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段。不過，許多芯片制造商仍在竭力推進(jìn)基于TSV的3D芯片技術(shù)的發(fā)展并為其投入研發(fā)資金，這些廠商包括IBM,Intel，三星，東芝等等，3D芯片技術(shù)的優(yōu)勢在于可以在不需要改變現(xiàn)有產(chǎn)品制程的基礎(chǔ)上增加產(chǎn)品的集成度，從而提高單位芯片面積內(nèi)的晶體管數(shù)量。

三柵極3D晶體管技術(shù)(FinFET)

傳統(tǒng)“平面的”2-D平面柵極被超級纖薄的、從硅基體垂直豎起的3-D硅鰭狀物所代替。電流控制是通過在鰭狀物三面的每一面安裝一個柵極而實現(xiàn)的(兩側(cè)和頂部各有一個柵極)，而不是像2-D平面晶體管那樣，只在頂部有一個柵極。更多控制可以使晶體管在“開”的狀態(tài)下讓盡可能多的電流通過(高性能)，而在“關(guān)”的狀態(tài)下盡可能讓電流接近零(即減少漏電，低能耗)，同時還能在兩種狀態(tài)之間迅速切換，進(jìn)一步實現(xiàn)更高性能。



就像摩天大樓通過向天空發(fā)展而使得城市規(guī)劃者優(yōu)化可用空間一樣，英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)提供了一種管理晶體管密度的方式。由于這些鰭狀物本身是垂直的，晶體管也能更