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[導(dǎo)讀]晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨天舉辦技術(shù)論壇,表明28納米制程提前于第4季量產(chǎn),可望拉開其它代工同業(yè)差距。臺(tái)積電表示,因應(yīng)客戶需求增加,臺(tái)積電將持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能,預(yù)期2015年總產(chǎn)能將倍增至2000萬片約當(dāng)8寸晶圓。

晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨天舉辦技術(shù)論壇,表明28納米制程提前于第4季量產(chǎn),可望拉開其它代工同業(yè)差距。臺(tái)積電表示,因應(yīng)客戶需求增加,臺(tái)積電將持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能,預(yù)期2015年總產(chǎn)能將倍增至2000萬片約當(dāng)8寸晶圓。

此外,雖然日前下修今年不含存儲(chǔ)器之半導(dǎo)體值年增率4%,但臺(tái)積電預(yù)期2011年至2015年半導(dǎo)體將以年復(fù)合成長(zhǎng)率5%速度持續(xù)成長(zhǎng)。

日本強(qiáng)震影響全球科技產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈,日前臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀下修今年不含存儲(chǔ)器之半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)估,由原先的年增率7%,下修至4%。其中,PC市場(chǎng)從12%降至8%,手持式裝置從9%降至7%,消費(fèi)性電子則從6%降至3%,不過臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)今年?duì)I收成長(zhǎng)20%不變。

去年臺(tái)積電總產(chǎn)能首度突破1000萬片約當(dāng)8寸晶圓,臺(tái)積電昨天舉辦技術(shù)論壇,臺(tái)積電營運(yùn)暨產(chǎn)品發(fā)展副總經(jīng)理秦永沛說,為因應(yīng)客戶需求及持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)需要,臺(tái)積電今年將有4座晶圓廠進(jìn)入小量量產(chǎn),預(yù)期2015年總產(chǎn)能將倍增至2000萬片約當(dāng)8寸晶圓。

臺(tái)積電全球業(yè)務(wù)暨營銷資深副總經(jīng)理陳俊圣表示,以生產(chǎn)28納米產(chǎn)品為主的Fab15廠(臺(tái)積電第3座12寸超大型晶圓廠)已開始置入機(jī)器,第3季投片,預(yù)期在第4季量產(chǎn),預(yù)料在Fab15廠產(chǎn)能開出后,臺(tái)積電單月12寸總產(chǎn)能將達(dá)30萬片。

臺(tái)積電指出,雖然今年不含存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值調(diào)降為年增4%,不過預(yù)期明年產(chǎn)值將年成長(zhǎng)7%,且2011年至2015年將以年復(fù)合成長(zhǎng)率5%幅度持續(xù)成長(zhǎng)。

臺(tái)積電表示,預(yù)計(jì)今年底12寸廠總產(chǎn)能將達(dá)30萬片規(guī)模,潔凈室面積將達(dá)23.2萬平方公尺,約32個(gè)足球場(chǎng)大,3年內(nèi)總投資金額達(dá)160億美元。

對(duì)于市場(chǎng)疑慮日本強(qiáng)震對(duì)供應(yīng)鏈沖擊將持續(xù)到第三季,臺(tái)積電指出,日本地震影響短期需求,預(yù)估主要影響時(shí)間在本季出現(xiàn),少部分可能延續(xù)到第3季,不過未來遞延的需求也會(huì)浮現(xiàn)。

因應(yīng)持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能,臺(tái)積電今年資本支出將達(dá)78億美元,較去年再增加超過三成,其中七成左右的資本支出將投入65、40及28納米制程技術(shù)領(lǐng)域,9%的資本支出則將投入20及14納米制程研發(fā)。此外,去年臺(tái)積電總產(chǎn)能年增率達(dá)14%,今年總產(chǎn)能將較去年再成長(zhǎng)二成。




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