臺(tái)積電在28奈米制程的量產(chǎn)進(jìn)展先馳得點(diǎn)，除兩大現(xiàn)場(chǎng)可編程閘陣列(FPGA)客戶(hù)--賽靈思(Xilinx)與Altera已陸續(xù)開(kāi)始提供樣品晶片外，日前也已完成所有可靠性驗(yàn)證工作，準(zhǔn)備開(kāi)始大量生產(chǎn)，大幅超前全球晶圓(GlobalFoundries)和三星(Samsung)等其他晶圓代工對(duì)手。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀于第一季法說(shuō)會(huì)上表示，臺(tái)積電28奈米的低功耗(LP)制程與高效能(HP)制程均已完成可靠性驗(yàn)證作業(yè)，這意味該公司28奈米制程的量產(chǎn)之路已無(wú)任何阻礙，在臺(tái)積電先進(jìn)制程的發(fā)展上，是相當(dāng)重要的里程碑。

張忠謀進(jìn)一步指出，相較于2010年第三季，臺(tái)積電28奈米制程的客戶(hù)投片(Tape Out)數(shù)已由原本七十多個(gè)專(zhuān)案，增加至現(xiàn)今八十九個(gè)，而此一數(shù)字是其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手投片數(shù)總計(jì)的十倍之多。

事實(shí)上，全球晶圓與三星原本也計(jì)劃自2011年初開(kāi)始提供28奈米制程晶圓代工服務(wù)，但截至目前，雙方均還未正式對(duì)外公布相關(guān)進(jìn)展。另一個(gè)值得注意的是，全球晶圓原本在28奈米制程強(qiáng)打“先閘極(Gate-first)”技術(shù)，并宣稱(chēng)該技術(shù)可比臺(tái)積電力推的“后閘極(Gate-last)”技術(shù)具有更佳效能，但后來(lái)卻又表示將于20奈米制程導(dǎo)入“后閘極”技術(shù)，因而讓市場(chǎng)人士對(duì)全球晶圓的28奈米制程發(fā)展產(chǎn)生疑慮。

對(duì)于全球晶圓技術(shù)發(fā)展策略的轉(zhuǎn)變，張忠謀不予置評(píng)，僅表示，技術(shù)轉(zhuǎn)換的順利與否，以及轉(zhuǎn)換所需的時(shí)間長(zhǎng)短，均須視各家公司的技術(shù)能力而定。不過(guò)，他也補(bǔ)充道，技術(shù)轉(zhuǎn)換的發(fā)生，其實(shí)就已透露出一家公司對(duì)技術(shù)的掌握程度。

除28奈米一馬當(dāng)先外，臺(tái)積電在20及14奈米等先進(jìn)制程的發(fā)展，亦大有斬獲。張忠謀透露，20奈米制程發(fā)展進(jìn)度相當(dāng)順利，預(yù)計(jì)2012年下半年即可風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)(Risk Production)，目前已有許多早期客戶(hù)正在進(jìn)行合作。至于14奈米及其以下制程，臺(tái)積電則在鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)和非矽通道(Non-silicon Channel)結(jié)構(gòu)等技術(shù)投入大量研發(fā)心力，將可進(jìn)一步延伸摩爾定律(Moore’s Law)。