EUV光源廠商散伙,EUV未來(lái)充滿(mǎn)變數(shù)
成立于2000年8月的日本Gigaphoton公司主要業(yè)務(wù)是開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售光刻工具用的準(zhǔn)分子激光光源,是由Ushio和Komatsu合資成立的企業(yè),雙方各握有50%股權(quán)。
包括Cymer、Gigaphoton、Ushio和其他業(yè)者都正在為下一代光刻工具開(kāi)發(fā)EUV光源。Gigaphoton采用激光激發(fā)電漿型(LPP)戶(hù)方法,而Ushio則采取放電激發(fā)電漿型(DPP)方法。
現(xiàn)在,Gigaphoton和Ushio將在EUV光源市場(chǎng)中展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。Cymer公司是LPP技術(shù)的推動(dòng)廠商。在LPP方法中,電漿是透過(guò)在指定材料上收集強(qiáng)大的激光束來(lái)激發(fā),而DPP方法則是透過(guò)在電子間對(duì)大電流脈沖充電來(lái)激發(fā)電漿。
日本的Ushio去年收購(gòu)了飛利浦電子的EUV光源業(yè)務(wù)。飛利浦之前便已將其EUV事業(yè)部轉(zhuǎn)移到日本公司的EUV部門(mén),稱(chēng)之為Xtreme Technologies GmbH。Xtreme一直在從事EUV光源的研發(fā),并自2008年起與飛利浦合作開(kāi)針對(duì)下一代半導(dǎo)體技術(shù)的EUV光源。
Ushio在2005年取得Xtreme的50%股權(quán),并于2008年與飛利浦攜手展開(kāi)研究,其研究也特別著重在EUV光源部份。而在同一年,Ushio也并購(gòu)Xtreme,使其成為100%的子公司。
目前,作為下一代光刻技術(shù)主要候選人之一的EUV技術(shù),仍然因?yàn)楣庠础⒐饪棠z和關(guān)鍵掩膜與量測(cè)基礎(chǔ)設(shè)施的缺乏而延遲(參閱電子工程專(zhuān)輯報(bào)道:光刻世界的期待與沮喪)。但芯片制造商仍對(duì)它充滿(mǎn)寄望?!拔覀児烙?jì)在14nm節(jié)點(diǎn)可導(dǎo)入EUV技術(shù),”臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義說(shuō)。
臺(tái)積電的28nm工藝采用的是193nm浸入式光刻技術(shù);蔣尚義表示將在20nm工藝導(dǎo)入雙重曝光(double patterning),而EUV技術(shù)則預(yù)計(jì)最快在14nm時(shí)才可望實(shí)現(xiàn)。
“EUV的最主要挑戰(zhàn)在產(chǎn)量和光源,”蔣尚義說(shuō)。盡管站在芯片供應(yīng)商的角度,整個(gè)產(chǎn)業(yè)都致力于建構(gòu)完整的EUV基礎(chǔ)環(huán)境,但根本上EUV要能順利應(yīng)用仍然缺乏許多條件,特別是在光源部份,現(xiàn)在整個(gè)產(chǎn)業(yè)都在等待光源的改良。
不過(guò),就算EUV真的趕不及,蔣尚義表示,仍有其他替代技術(shù)可供選擇。他看好電子束技術(shù)。舉例來(lái)說(shuō),“荷蘭Mapper Lithography已經(jīng)開(kāi)發(fā)出110電子束系統(tǒng)了,盡管該系統(tǒng)仍在開(kāi)發(fā)初期,但根據(jù)產(chǎn)品藍(lán)圖,未來(lái)該公司將提供13,000電子束系統(tǒng),”蔣尚義說(shuō)。
從技術(shù)角度來(lái)看,“我們至少可以延伸到7nm或8nm,”蔣尚義說(shuō)。而芯片制造商在選擇下一代光刻技術(shù)時(shí),必須對(duì)晶圓成本做全盤(pán)考量。因此,下一代光刻技術(shù)的發(fā)展仍然充滿(mǎn)變數(shù)。
臺(tái)積電預(yù)計(jì)2012下半年試產(chǎn)20nm工藝,而預(yù)估2013~2014導(dǎo)入的18英寸晶圓也將搭配20nm工藝