[導(dǎo)讀]鐵電體內(nèi)存(FRAM)的供應(yīng)商之一Ramtron由于在與IBM公司合作的FRAM芯片制造技術(shù)方面遇到問(wèn)題,導(dǎo)致其FRAM產(chǎn)量提升計(jì)劃受阻。本月 21日,Ramtron公司公開(kāi)了今年第一季度的營(yíng)收數(shù)字,據(jù)公布的信息顯示,今年第一季度該公
鐵電體內(nèi)存(FRAM)的供應(yīng)商之一Ramtron由于在與IBM公司合作的FRAM芯片制造技術(shù)方面遇到問(wèn)題,導(dǎo)致其FRAM產(chǎn)量提升計(jì)劃受阻。本月 21日,Ramtron公司公開(kāi)了今年第一季度的營(yíng)收數(shù)字,據(jù)公布的信息顯示,今年第一季度該公司的營(yíng)收額僅達(dá)1060萬(wàn)美元,比去年同期的1580萬(wàn)美 元下滑了33%左右。
該公司今年第一季度的凈虧損額達(dá)到了240萬(wàn)美元,公司的股票價(jià)值則出現(xiàn)-0.09美元的負(fù)增長(zhǎng)。相比之下,去年同期公司的凈收入額則達(dá)到41.5萬(wàn)美元,同期每股股值上揚(yáng)0.02美元.Ramtron這次公開(kāi)的2011年第一季度營(yíng)收數(shù)據(jù)已經(jīng)計(jì)入了一筆價(jià)值為34.7萬(wàn)美元的股票補(bǔ)償支出,以及140萬(wàn)美元的所得稅退稅收入。
PS:FRAM鐵電體內(nèi)存簡(jiǎn)介
資料圖片:德州儀器制造的FRAM解剖圖
鐵電體內(nèi)存采用單晶體管+單電容(1T-1C)的內(nèi)部結(jié)構(gòu),類似于常規(guī)DRAM,不過(guò)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元部分使用的是電極化型材料,這種材料具備非易失存儲(chǔ)特性。而且由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,因此FRAM器件的體積在同等制程的條件下相比閃存和SRAM要小許多。
Ramtron目前的情況不容樂(lè)觀。今年一月份,公司接受了原CEO Bill Staunton的辭呈,并任命原CFO兼董事會(huì)成員 Eric Balzer為新任CEO。
另外一方面,如何提升Ramtron交付代工的鐵電體內(nèi)存芯片的產(chǎn)量問(wèn)題也已經(jīng)成為困擾IBM許久的一道未解難題。產(chǎn)量的低迷導(dǎo)致Ramtron鐵電體內(nèi)存芯片產(chǎn)品銷量驟減,甚至已經(jīng)惹惱了不少訂貨的客戶。2009年,Ramtron與IBM公司達(dá)成代工協(xié)議,IBM公司隨后便在其位于美國(guó)伯靈頓的芯片廠安裝了用于生產(chǎn)Ramtron FRAM產(chǎn)品的180nm制程產(chǎn)線。當(dāng)時(shí),Ramtron希望利用IBM的180nm制程,能在2010年制造出首塊FRAM芯片成品。
不過(guò)直到今年,IBM也未能達(dá)成Ramtron預(yù)期的目標(biāo),而按照原有的計(jì)劃,IBM本該在去年年底前就應(yīng)該開(kāi)始為Ramtron代工量產(chǎn)其FRAM產(chǎn)品。IBM為Ramtron代工的FRAM將基于CMOS工藝。
除了IBM之外,德州儀器和富士通均已與Ramtron公司簽署了FRAM芯片的代工協(xié)議。而富士通雖然仍然還在為Ramtron生產(chǎn)FRAM,但Ramtron發(fā)往這家公司的訂單已經(jīng)日漸減少。再加上IBM又在產(chǎn)能提升方面遇到麻煩,如此德州儀器公司便不得不獨(dú)立接下這只燙手山芋。
Ramtron的現(xiàn)任CEO Eric Balzer自己也承認(rèn)公司現(xiàn)在的狀況令人難堪,他說(shuō):“大多數(shù)我們的客戶會(huì)繼續(xù)和我們合作,不過(guò)他們對(duì)目前的現(xiàn)狀不太滿意?!?br>
在最近舉辦的一個(gè)電話會(huì)議上,一位分析師甚至當(dāng)場(chǎng)抱怨稱:“我的股票虧了這么多,我要怒了!”--此君顯然持有這家公司的股份。今年1月19日,Ramtron的股價(jià)為3.13美元,到4月23日,公司的股價(jià)則跌到了2.39美元。
據(jù)Ramtron的現(xiàn)任CEO披露,盡管Ramtron還沒(méi)有放棄催促I(mǎi)BM盡快提升FRAM產(chǎn)量的努力,但是目前為止IBM僅向Ramtron交付了數(shù)量極為有限的驗(yàn)證用樣品芯片。而且“IBM公司最近提交給我們的產(chǎn)品則沒(méi)有達(dá)到我們的性能預(yù)期,我們?cè)瓉?lái)希望FRAM芯片的壽命測(cè)試結(jié)果能達(dá)到1000小時(shí)的水平,但經(jīng)過(guò)1000小時(shí)測(cè)試之后,我們發(fā)現(xiàn)芯片中存儲(chǔ)的一個(gè)位數(shù)據(jù)出現(xiàn)了丟失現(xiàn)象。這樣的結(jié)果是我們無(wú)法接受的。我們正在努力改善制程,以圖增強(qiáng)FRAM產(chǎn)品的耐久性表現(xiàn)。修正后的芯片樣品定于6周后進(jìn)行測(cè)試?!?br>
“今年第一季度,我們?cè)诰徑庑酒?yīng)緊張方面可謂成果顯著。該季度我們的芯片產(chǎn)能將提升兩倍,目前我們已經(jīng)在著手?jǐn)U充我們的芯片測(cè)試產(chǎn)線,以滿足芯片產(chǎn)能提升的需要。一旦我們的芯片產(chǎn)能與芯片測(cè)試能力在第二季度達(dá)成平衡,我們將能夠?qū)ν馓峁┊a(chǎn)量穩(wěn)定的芯片,我們的營(yíng)收也會(huì)回復(fù)增長(zhǎng)。綜合考慮市場(chǎng)對(duì)FRAM的強(qiáng)勁需求和我們?cè)谔嵘酒a(chǎn)能方面所做出的努力,我們很有信心達(dá)成今年上半年?duì)I收額達(dá)2500萬(wàn)美元的計(jì)劃。不過(guò),由于需要盡快促成芯片產(chǎn)量的提升,因此我們?cè)诩夹g(shù)研發(fā)上的投資力度不會(huì)減輕,這樣,我們預(yù)計(jì)第二季度公司的利潤(rùn)水平將呈現(xiàn)總體收支平衡,或微微獲利的局面。”
CNBeta編譯
原文:eetimes
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LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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驅(qū)動(dòng)電源
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工業(yè)電機(jī)
驅(qū)動(dòng)電源
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驅(qū)動(dòng)電源
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散熱
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驅(qū)動(dòng)電源
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LED
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LED照明技術(shù)
電磁干擾
驅(qū)動(dòng)電源
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LED
驅(qū)動(dòng)電源
開(kāi)關(guān)電源
LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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隧道燈
驅(qū)動(dòng)電源
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LED驅(qū)動(dòng)電源
led照明
LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電源轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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驅(qū)動(dòng)電源
高壓工頻交流
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驅(qū)動(dòng)電源
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驅(qū)動(dòng)電源
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