在日前于美國加州舉行的2011年臺積電技術(shù)研討會(Technology Symposium)上，該公司透露了更多有關(guān) 18寸晶圓制造計劃的細(xì)節(jié)。根據(jù)業(yè)界消息，臺積電正全速進軍 18寸晶圓技術(shù)領(lǐng)域，主要目的除了在于降低制造成本，也試圖藉此領(lǐng)先諸如Globalfoundries、三星(Samsung)、聯(lián)電(UMC)等競爭對手一步。

臺積電進軍18寸晶圓技術(shù)領(lǐng)域還有另一個動機；根據(jù)該公司資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)的說法，一旦進入18寸晶圓時代，該公司所需的工程師人數(shù)也將減少；他在接受EETimes訪問時表示，臺積電進入18寸晶圓制造約需十年的過渡期，屆時所需的工程師人數(shù)會比現(xiàn)在少7,000人。

蔣尚義指出，臺積電進軍18寸晶圓制造有兩個考量：首先，該公司認(rèn)為隨著時間推移，將越來越難招募到“好的工程師人才”；其次，臺積電最后僅需要少數(shù)幾座18寸晶圓廠，就能在未來滿足客戶的需求。與12寸晶圓廠相較，新一代晶圓尺寸整體生產(chǎn)力預(yù)計可增加1.8倍。晶圓廠變少，就不需要那么多工程師。

另一方面，臺積電也預(yù)期將增加研發(fā)與資本支出，特別是在該公司持續(xù)致力于縮短制程技術(shù)學(xué)習(xí)曲線。而估計18寸晶圓廠營運成本約需100億美元，相關(guān)制程設(shè)備成本也將飆升。

蔣尚義表示，臺積電的18寸晶圓制造將起始于20奈米制程節(jié)點；該公司一開始打算在新竹的Fab 12晶圓廠建置一條18寸晶圓試產(chǎn)線、采用20奈米制程，時程大概在2013到2014年間。而屆時臺積電的12寸晶圓廠也將進入20奈米制程；蔣尚義表示，該公司的20奈米制程初產(chǎn)事實上也將以12寸晶圓廠為主。

接下來，臺積電計劃在臺中建置首座18寸晶圓廠，也就是Fab 15，量產(chǎn)時程預(yù)定在2015到2016年之間。在起步階段，該18寸晶圓廠會采用20奈米制程，然后進入14奈米節(jié)點；而到14奈米節(jié)點，臺積電打算在電晶體結(jié)構(gòu)上進行轉(zhuǎn)換。

在20奈米及以上節(jié)點，臺積電將繼續(xù)采用傳統(tǒng)以bulk CMOS為基礎(chǔ)的平面電晶體，但從14奈米節(jié)點開始，該公司將由bulk CMOS轉(zhuǎn)向FinFET 結(jié)構(gòu)。也就是說，未來臺積電將在Fab 15進行14奈米FinFET的量產(chǎn)。

編譯：Judith Cheng

(參考原文： Why is TSMC moving into 450-mm?，by Mark LaPedus)