根據(jù) SEMI 最新發(fā)布的World Fab Forecast報告， 2011年全球晶圓廠支出──包含建廠、廠務設施、設備部份──預測將較2010年成長22%；而今年晶圓廠在設備上的支出(包含新設備與二手設備)預期將持續(xù)成長28%。

SEMI產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆表示：“今年晶圓廠總支出將可接近472億美元，不但高于2010年386億美元的總支出。同時也超越2007年的晶圓廠總支出高峰464億美元的成績。”下表一明列出了各年度的晶圓廠建置與設備支出數(shù)字。

SEMI的報告亦顯示，部份廠商在 2011年的支出將創(chuàng)下其歷史新高。例如臺積電(TSMC)的資本支出從2010年的59億美元的創(chuàng)新紀錄，更增加到 2011年的78億美元；英特爾(Intel)的資本支出從2010年的52億美元，飆升到2011的90億美元；GLOBALFOUNDRIES在2011年的資本支出為54億美元，更較2010年的27億美元有翻倍的成長。

歷年前段晶圓廠支出
（來源：SEMI World Fab Database Reports，2011/02）

觀察大部分的支出乃是用于升級現(xiàn)有設施，因為廠商都盡量避免產(chǎn)能過剩、供過于求的情況。在經(jīng)濟衰退的前幾年，2004~2007年間的產(chǎn)能成長，每年成長值介于14~23%。SEMI保守預估，未來幾年半導體產(chǎn)能仍持續(xù)溫和成長，2011年與2012年分別成長9%、7% (不含離散元件)；而2013與2014年的成長數(shù)值也預估徘徊在7%左右。

雖然在晶圓廠設備支出創(chuàng)新高，但在可預見的未來只有少數(shù)新廠建置計劃。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2010年有34個新量產(chǎn)晶圓廠開始動工，其中大部份都是 LED 晶圓廠。2011年，只有7個廠有機會可以開工，其它有4個廠有機會在2012年開工。以產(chǎn)業(yè)別來看，來自于LED產(chǎn)業(yè)的新廠建置計劃最為積極，有5座新LED磊晶廠將于2011年動工。

以未來兩年與過去十年的新建置晶圓廠計劃作比較，SEMI也看到廠商建廠腳步急速趨緩，尤其是12寸晶圓廠。該報告指出，在2010年有7座12寸量產(chǎn)晶圓廠(不含R&D與pilots廠) 開始動工建置；然而，2011年估計只有Intel的晶圓廠于2011年中有開始動工的計劃。2012年則預計有3座12寸晶圓廠將開始動工，其中的兩座可能做為 18寸晶圓無塵室之用。

此外，SEMI的World Fab Forecast報告也首次指出有7座晶圓廠未來將有潛力成為 18寸晶圓廠之用，預估2013年將有第一座廠房可以上線，不過18寸晶圓相關設備是否已趨成熟、足夠提供半導體廠量產(chǎn)之用，仍有待觀察。