韓國(guó)三星電子昨在由IBM主導(dǎo)的通用平臺(tái)（Common Platform）技術(shù)論壇中指出，內(nèi)部已開(kāi)始評(píng)估新的邏輯晶片投資計(jì)畫(huà)。外界認(rèn)為，三星可能會(huì)興建新晶圓廠或是升級(jí)現(xiàn)有晶圓廠技術(shù)，擴(kuò)大28奈米及20奈米的產(chǎn)能，爭(zhēng)取晶圓代工市場(chǎng)龐大商機(jī)。

對(duì)于三星的來(lái)勢(shì)洶洶，臺(tái)積電及聯(lián)電今年將會(huì)提升資本支出至少20％，包括加速制程微縮及增加12寸廠產(chǎn)能，以鞏固現(xiàn)有市場(chǎng)版圖。

三星目前擁有2座邏輯IC晶圓廠，分別位于韓國(guó)的S1及美國(guó)Austin，其中韓國(guó)S1生產(chǎn)線月產(chǎn)能達(dá)5萬(wàn)片，其中1.5萬(wàn)片投入晶圓代工，為賽靈思（Xilinx）、高通等大廠代工。

美國(guó)Austin廠原本主要生產(chǎn)記憶體，但已開(kāi)始布建邏輯IC產(chǎn)能，市場(chǎng)預(yù)期主要是用來(lái)支援為蘋(píng)果代工A4/A5等應(yīng)用處理器（AP）晶片。

三星昨日也與通用平臺(tái)聯(lián)盟共同宣布20奈米研發(fā)計(jì)畫(huà)，三星成為繼英特爾、臺(tái)積電、全球晶圓（GlobalFoundries）之后，第4家投入20奈米邏輯制程研發(fā)的半導(dǎo)體大廠。三星預(yù)計(jì)2012年下半年開(kāi)始試產(chǎn)，2013年就可開(kāi)始接單量產(chǎn)，進(jìn)度上與臺(tái)積電沒(méi)有太大時(shí)間上的落差。

值得市場(chǎng)注意之處，在于三星及通用平臺(tái)聯(lián)盟在32奈米及28奈米世代，采用的是前閘極（gate-first）技術(shù)方向，但此次合作開(kāi)發(fā)的20奈米技術(shù)，已經(jīng)轉(zhuǎn)向后閘極（gate-last）技術(shù)方向，并將提供高介電金屬閘極（HKMG）技術(shù)。

目前英特爾已經(jīng)在45奈米及32奈米采用HKMG生產(chǎn)處理器，臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年下半年推出的28奈米也將涵蓋HKMG技術(shù)，同時(shí)，包括英特爾、臺(tái)積電、聯(lián)電等3家業(yè)者，先進(jìn)制程研發(fā)早已轉(zhuǎn)向后閘極技術(shù)方向發(fā)展。

三星因?yàn)橛型ㄓ闷脚_(tái)聯(lián)盟的奧援，近兩年?duì)幦【A代工市場(chǎng)有成，順利拿下高通、賽靈思等先進(jìn)制程代工訂單，并成為蘋(píng)果A4/A5處理器獨(dú)家代工廠?，F(xiàn)在三星又決定要擴(kuò)大投資，擴(kuò)充晶圓代工產(chǎn)能，自然就會(huì)成為臺(tái)積電、聯(lián)電等晶圓雙雄主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

為了抵抗三星勢(shì)力入侵，設(shè)備業(yè)者透露，臺(tái)積電以及聯(lián)電，今年資本支出均將較去年增加約20％，包括加速推進(jìn)28奈米及20奈米技術(shù)，同時(shí)也將擴(kuò)大40奈米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能，以鞏固現(xiàn)有市場(chǎng)版圖。