IBM陣營high-k技術(shù)發(fā)生變化
IBM聯(lián)盟的high-k技術(shù)正在發(fā)生轉(zhuǎn)變。
在32nm和28nm采用先柵high-k工藝（gate first）之后，IBM及其伙伴公司，包括AMD、Globalfoundries、Samsung等，將在20nm轉(zhuǎn)向競爭對手所采用的后柵工藝（gate last），此前IBM聯(lián)盟堅持認(rèn)為gate-first是更好的方案。
IBM半導(dǎo)體研發(fā)中心副總裁Gary Patton表示，對于20nm來說，gate last是更好的方案，可以在密度和尺寸縮小上帶來一定優(yōu)勢。
換句話說，IBM及其伙伴已經(jīng)承認(rèn)此前高調(diào)推廣的gate first技術(shù)只用了一個節(jié)點。Intel、TSMC和UMC是gate last技術(shù)的倡導(dǎo)者，Intel已在45nm節(jié)點導(dǎo)入了high k工藝，臺積電預(yù)計將在28nm節(jié)點導(dǎo)入。
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http://www.eetimes.com/electronics-news/4212271/IBM--fab-club--switches-high-k-camps
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