IBM聯(lián)盟的high-k技術(shù)正在發(fā)生轉(zhuǎn)變。

在32nm和28nm采用先柵high-k工藝（gate first）之后，IBM及其伙伴公司，包括AMD、Globalfoundries、Samsung等，將在20nm轉(zhuǎn)向競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手所采用的后柵工藝（gate last），此前IBM聯(lián)盟堅(jiān)持認(rèn)為gate-first是更好的方案。

IBM半導(dǎo)體研發(fā)中心副總裁Gary Patton表示，對(duì)于20nm來(lái)說(shuō)，gate last是更好的方案，可以在密度和尺寸縮小上帶來(lái)一定優(yōu)勢(shì)。

換句話說(shuō)，IBM及其伙伴已經(jīng)承認(rèn)此前高調(diào)推廣的gate first技術(shù)只用了一個(gè)節(jié)點(diǎn)。Intel、TSMC和UMC是gate last技術(shù)的倡導(dǎo)者，Intel已在45nm節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入了high k工藝，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在28nm節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入。

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