“TSV的總成本削減65％”，Alchimer開發(fā)出濕式成膜技術(shù)
[導(dǎo)讀]TSV（through silicon via，硅貫通孔）技術(shù)開發(fā)企業(yè)法國Alchimer S.A.首席執(zhí)行官Steve Lermer與首席技術(shù)官Claudio Truzzi為參加“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張MESSE會展中心）來到日本，并就該公司
TSV（through silicon via，硅貫通孔）技術(shù)開發(fā)企業(yè)法國Alchimer S.A.首席執(zhí)行官Steve Lermer與首席技術(shù)官Claudio Truzzi為參加“SEMICON Japan 2010”（2010年12月1～3日，幕張MESSE會展中心）來到日本，并就該公司的“AquiVia”技術(shù)及今后的業(yè)務(wù)開展計劃等接受了媒體采訪。該公司開發(fā)完成了TSV用成膜技術(shù)，使用該技術(shù)，可將形成TSV的加工、成膜及平坦化處理等所有工藝的總成本較原來最多削減65％。
關(guān)于可削減工藝成本的理由，Truzzi表示，“加工成本可削減50％，成膜成本可削減70％，平坦化處理成本可削減50％”。能夠削減加工成本是因為提高了蝕刻速度。Truzzi稱，使用該公司的濕式成膜技術(shù)，即使加工后的導(dǎo)通孔內(nèi)壁出現(xiàn)名為“Scallop”的凹凸也可以成膜。以前為防止“Scallop”出現(xiàn)，降低了蝕刻速度，而此次無需這樣做，因此可大幅提高蝕刻速度。成膜成本可通過減少對制造裝置的投資來削減。以前一直使用需要真空系統(tǒng)的干式工藝，另外在使絕緣膜、籽晶層及鍍膜等成膜時需要不同的裝置。而該公司的技術(shù)均可利用濕式工藝成膜，因此無需真空系統(tǒng)，在同一裝置內(nèi)即可處理所有工藝。平坦化處理成本能夠削減是因為利用平坦化工藝應(yīng)該除去的膜厚度變薄，縮短了工藝時間。采用此次的技術(shù)，向TSV嵌入時，宛如從TSV的底部生長出來一樣。因此，表面部分形成的膜變薄，應(yīng)除去的膜也變薄。
關(guān)于今后的業(yè)務(wù)開展計劃，Lermer表示，“將開展向半導(dǎo)體廠商提供此次技術(shù)的技術(shù)授權(quán)業(yè)務(wù)”。屆時，在制造裝置方面，可對半導(dǎo)體廠商的現(xiàn)有鍍膜裝置進行改造，也可新導(dǎo)入裝置。Lermer稱，新導(dǎo)入裝置時，該公司可對裝置廠商進行介紹。成膜材料方面，該公司與長瀨產(chǎn)業(yè)及Nagase chemteX簽訂了藥液制造授權(quán)協(xié)議。將由Nagase chemteX為半導(dǎo)體廠商提供藥液。（記者：長廣 恭明）
Steve Lermer（左）與首席技術(shù)官Claudio Truzzi（右）（點擊放大）
關(guān)于可削減工藝成本的理由，Truzzi表示，“加工成本可削減50％，成膜成本可削減70％，平坦化處理成本可削減50％”。能夠削減加工成本是因為提高了蝕刻速度。Truzzi稱，使用該公司的濕式成膜技術(shù)，即使加工后的導(dǎo)通孔內(nèi)壁出現(xiàn)名為“Scallop”的凹凸也可以成膜。以前為防止“Scallop”出現(xiàn)，降低了蝕刻速度，而此次無需這樣做，因此可大幅提高蝕刻速度。成膜成本可通過減少對制造裝置的投資來削減。以前一直使用需要真空系統(tǒng)的干式工藝，另外在使絕緣膜、籽晶層及鍍膜等成膜時需要不同的裝置。而該公司的技術(shù)均可利用濕式工藝成膜，因此無需真空系統(tǒng)，在同一裝置內(nèi)即可處理所有工藝。平坦化處理成本能夠削減是因為利用平坦化工藝應(yīng)該除去的膜厚度變薄，縮短了工藝時間。采用此次的技術(shù)，向TSV嵌入時，宛如從TSV的底部生長出來一樣。因此，表面部分形成的膜變薄，應(yīng)除去的膜也變薄。
關(guān)于今后的業(yè)務(wù)開展計劃，Lermer表示，“將開展向半導(dǎo)體廠商提供此次技術(shù)的技術(shù)授權(quán)業(yè)務(wù)”。屆時，在制造裝置方面，可對半導(dǎo)體廠商的現(xiàn)有鍍膜裝置進行改造，也可新導(dǎo)入裝置。Lermer稱，新導(dǎo)入裝置時，該公司可對裝置廠商進行介紹。成膜材料方面，該公司與長瀨產(chǎn)業(yè)及Nagase chemteX簽訂了藥液制造授權(quán)協(xié)議。將由Nagase chemteX為半導(dǎo)體廠商提供藥液。（記者：長廣 恭明）
Steve Lermer（左）與首席技術(shù)官Claudio Truzzi（右）（點擊放大）
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