美國應(yīng)用材料（AMAT）2010年11月30日宣布，為了重返硅蝕刻領(lǐng)域，開發(fā)出了新型蝕刻裝置“Centris AdvantEdge Mesa Etch”，并決定在12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展示。AMAT表示，在Si蝕刻領(lǐng)域的市場份額方面，已被競爭企業(yè)美國科林研發(fā)（Lam Research）拉開了差距。作為打破這一局面的殺手锏，AMAT投放了此次的裝置。此次新開發(fā)的裝置與今年夏季發(fā)布的蝕刻腔室組合使用。對(duì)于間隙壁工藝的二次圖形曝光技術(shù)（DP）用蝕刻裝置等，該公司正在與包括DRAM廠商和NAND閃存廠商等在內(nèi)的5家廠商進(jìn)行商談，其中2家為新客戶。

關(guān)于此次的裝置，AMAT的副總裁兼刻蝕事業(yè)部總經(jīng)理Ellie Yieh自信地表示，“這是一款同時(shí)兼顧高生產(chǎn)效率及高性能的裝置”。生產(chǎn)效率方面，裝置的形狀從原來的六角形改成了與該公司“Producer”一樣的四角形，還配備了兩個(gè)搬運(yùn)機(jī)器人。各邊均安裝2個(gè)蝕刻腔室，并將原來占用六角形一邊的清潔腔室與加載互鎖真空室集成于一體。通過采用這樣的配置，配備的腔室數(shù)量擴(kuò)大到了原來的2倍達(dá)到8個(gè)，而且減小了設(shè)置面積，同時(shí)處理能力還提高到了原來的2倍，最多為180片/小時(shí)。據(jù)AMAT介紹，每片晶圓的COO（擁有成本）可最多削減30％。

性能方面，各蝕刻腔室的線寬（CD）在晶圓面內(nèi)的不均勻性為小于1nm，蝕刻深度在晶圓面內(nèi)的不均勻性為小于1％。此外，為了抑制腔室間的不均，還配備了自動(dòng)校準(zhǔn)腔室的功能。利用該功能，該公司可在腔室沒有進(jìn)行工藝處理時(shí)自動(dòng)校準(zhǔn)，從而減小腔室之間的不均勻性。據(jù)AMAT介紹，該產(chǎn)品還注重環(huán)保，消耗能量削減了35％，另外還減少了用水量及二氧化碳排放量。（記者：長廣 恭明）