日本愛發(fā)科（ULVAC）開發(fā)出了多室型成膜裝置“ENTRONTM-EX2 W300”。該裝置將在2010年12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展出，并從2010年11月開始受理訂單，從2011年4月開始銷售。ENTRONTM-EX2 W300以該公司濺射裝置“ENTRONTM-EX”為基礎(chǔ)開發(fā)而成，裝置價格與原來相當，但處理量增加了75％，生產(chǎn)效率得到大幅提高。而且還實現(xiàn)了可支持DRAM、邏輯IC、閃存所用下一代工藝以及新型非易失性（NV）存儲器所需工藝的靈活性及擴展性。

對于ENTRONTM-EX2 W300，愛發(fā)科半導(dǎo)體裝置事業(yè)部董事事業(yè)部長五戶成史充滿信心地表示：“2011年度（2011年7月～2012年6月）的銷量預(yù)定在20多臺，但在數(shù)年后的最鼎盛期將努力達到50臺/年，而且順利的話將力爭增至100臺/年”。作為依據(jù)，五戶指出此次的裝置兼顧了生產(chǎn)效率和工藝擴展性。該公司在已有金屬成膜裝置市場上與大廠商存在較大份額差距。面對這種情況，該公司打算首先憑借此次裝置的高生產(chǎn)效率來縮小這一差距，然后再隨著下一代工藝技術(shù)及新型非易失性存儲器的崛起，迅速奪取市場。

在生產(chǎn)效率方面，此次的裝置通過開發(fā)新型機器人并導(dǎo)入新型EFEM，使處理量比該公司產(chǎn)品增加75％，達到了175枚/小時。而且還標配了對搬運時的晶圓位置偏移進行自動修正的功能以及對晶圓破裂進行檢測的功能。此外還頗為注重環(huán)保，對裝置上配備的電路采取了逆變器化設(shè)計，并配備了在裝置待機時切斷電路，使之休眠的功能，從而將裝置的耗電量減少了30％。環(huán)保性能方面還符合“RoHS”指令。

在靈活性及擴展性方面，實現(xiàn)了對DRAM的3Xnm、邏輯IC和NAND型閃存的1Xnm等下一代工藝技術(shù)，以及MRAM（磁阻存儲器）、PRAM（相變化存儲器）等新型非易失性存儲器所用工藝技術(shù)的支持。具體的工序設(shè)想以包括觸點的金屬布線形成，以及柵極、存儲單元的金屬電極形成等為對象?？衫猛慌_裝置綜合進行濺射（PVD）、CVD、ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）等處理。

另外，根據(jù)工序的不同準備有單機機型和串聯(lián)機型兩種機型。單機機型可連接四個工藝模塊和兩個小型模塊（脫氣、氣體冷卻、退火等）。而堆疊機型則可連接八個工藝模塊和兩個小型模塊。另外還可選配非接觸式射出溫度監(jiān)視器、表面反射率檢測監(jiān)視器及RGA分析監(jiān)視器（Qulee）等。裝置價格約為4億5000萬（單機機型）～7億（串聯(lián)機型）日元。（記者：長廣 恭明）