日本愛(ài)發(fā)科（ULVAC）開(kāi)發(fā)出了多室型成膜裝置“ENTRONTM-EX2 W300”。該裝置將在2010年12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展出，并從2010年11月開(kāi)始受理訂單，從2011年4月開(kāi)始銷售。ENTRONTM-EX2 W300以該公司濺射裝置“ENTRONTM-EX”為基礎(chǔ)開(kāi)發(fā)而成，裝置價(jià)格與原來(lái)相當(dāng)，但處理量增加了75％，生產(chǎn)效率得到大幅提高。而且還實(shí)現(xiàn)了可支持DRAM、邏輯IC、閃存所用下一代工藝以及新型非易失性（NV）存儲(chǔ)器所需工藝的靈活性及擴(kuò)展性。

對(duì)于ENTRONTM-EX2 W300，愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體裝置事業(yè)部董事事業(yè)部長(zhǎng)五戶成史充滿信心地表示：“2011年度（2011年7月～2012年6月）的銷量預(yù)定在20多臺(tái)，但在數(shù)年后的最鼎盛期將努力達(dá)到50臺(tái)/年，而且順利的話將力爭(zhēng)增至100臺(tái)/年”。作為依據(jù)，五戶指出此次的裝置兼顧了生產(chǎn)效率和工藝擴(kuò)展性。該公司在已有金屬成膜裝置市場(chǎng)上與大廠商存在較大份額差距。面對(duì)這種情況，該公司打算首先憑借此次裝置的高生產(chǎn)效率來(lái)縮小這一差距，然后再隨著下一代工藝技術(shù)及新型非易失性存儲(chǔ)器的崛起，迅速奪取市場(chǎng)。

在生產(chǎn)效率方面，此次的裝置通過(guò)開(kāi)發(fā)新型機(jī)器人并導(dǎo)入新型EFEM，使處理量比該公司產(chǎn)品增加75％，達(dá)到了175枚/小時(shí)。而且還標(biāo)配了對(duì)搬運(yùn)時(shí)的晶圓位置偏移進(jìn)行自動(dòng)修正的功能以及對(duì)晶圓破裂進(jìn)行檢測(cè)的功能。此外還頗為注重環(huán)保，對(duì)裝置上配備的電路采取了逆變器化設(shè)計(jì)，并配備了在裝置待機(jī)時(shí)切斷電路，使之休眠的功能，從而將裝置的耗電量減少了30％。環(huán)保性能方面還符合“RoHS”指令。

在靈活性及擴(kuò)展性方面，實(shí)現(xiàn)了對(duì)DRAM的3Xnm、邏輯IC和NAND型閃存的1Xnm等下一代工藝技術(shù)，以及MRAM（磁阻存儲(chǔ)器）、PRAM（相變化存儲(chǔ)器）等新型非易失性存儲(chǔ)器所用工藝技術(shù)的支持。具體的工序設(shè)想以包括觸點(diǎn)的金屬布線形成，以及柵極、存儲(chǔ)單元的金屬電極形成等為對(duì)象。可利用同一臺(tái)裝置綜合進(jìn)行濺射（PVD）、CVD、ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）等處理。

另外，根據(jù)工序的不同準(zhǔn)備有單機(jī)機(jī)型和串聯(lián)機(jī)型兩種機(jī)型。單機(jī)機(jī)型可連接四個(gè)工藝模塊和兩個(gè)小型模塊（脫氣、氣體冷卻、退火等）。而堆疊機(jī)型則可連接八個(gè)工藝模塊和兩個(gè)小型模塊。另外還可選配非接觸式射出溫度監(jiān)視器、表面反射率檢測(cè)監(jiān)視器及RGA分析監(jiān)視器（Qulee）等。裝置價(jià)格約為4億5000萬(wàn)（單機(jī)機(jī)型）～7億（串聯(lián)機(jī)型）日元。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）