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東電電子與田中貴金屬開發(fā)成功釕回收技術(shù)

時(shí)間：2010-11-29 06:31:00

關(guān)鍵字：電子金屬布線 SEMI

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[導(dǎo)讀]東電電子（TEL）與田中貴金屬工業(yè)宣布，兩公司共同開發(fā)的釕（Ru）回收技術(shù)已成功確立。該技術(shù)可在使用CVD裝置形成作為銅（Cu）布線的下層膜（Liner膜）的Ru膜時(shí)，對(duì)CVD用Ru材料（釕前驅(qū)體）中未用于成膜而廢棄的Ru進(jìn)

東電電子（TEL）與田中貴金屬工業(yè)宣布，兩公司共同開發(fā)的釕（Ru）回收技術(shù)已成功確立。該技術(shù)可在使用CVD裝置形成作為銅（Cu）布線的下層膜（Liner膜）的Ru膜時(shí)，對(duì)CVD用Ru材料（釕前驅(qū)體）中未用于成膜而廢棄的Ru進(jìn)行回收提煉，并加以循環(huán)再利用。據(jù)稱，由此不僅可以有效利用貴金屬Ru，而且還能削減二氧化碳（CO2）排放量。

在此次的共同開發(fā)中，東電電子開發(fā)了在Ru-CVD裝置內(nèi)對(duì)沒有沉積到晶圓上的殘留物進(jìn)行回收的裝置，而田中貴金屬工業(yè)則開發(fā)了提煉已回收的殘留物并加以再利用的技術(shù)。據(jù)稱，由此次的技術(shù)，Ru前驅(qū)體成本可削減約20％。另外，提煉Ru前驅(qū)體時(shí)新生成的CO2等也能夠削減約30％。

東電電子目前已涉足應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大的Cu布線相關(guān)制造裝置市場。手握Ru-CVD技術(shù)是這一舉動(dòng)的關(guān)鍵。該公司設(shè)想支持3X～2Xnm的Cu布線工藝，首先利用濺鍍機(jī)使厚約5nm的勢(shì)壘金屬（鉭或鈦類）成膜，然后利用CVD形成厚約2nm的Ru Liner膜。接著利用濺鍍機(jī)使厚約10nm的Cu籽晶層成膜，最后鍍銅。其中，Cu籽晶層形成之前的工藝?yán)?腔構(gòu)成的裝置連續(xù)處理。該工藝中勢(shì)壘金屬、 Liner膜及籽晶層的膜厚合計(jì)不到20nm，比現(xiàn)有濺鍍機(jī)法所需要的40nm左右減少了一半。作為該技術(shù)的一環(huán)，東電電子與田中貴金屬工業(yè)共同開發(fā)出了此次的Ru回收技術(shù)。另外，此次的技術(shù)還預(yù)定在2010年12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展出。（記者：長廣恭明）

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