[導(dǎo)讀]富士通半導(dǎo)體在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕張Messe會展中心）上，展示了集成GaN功率晶體管的直徑150mm的硅晶圓。在該元件量產(chǎn)線所在的會津若松市的工廠中進(jìn)行了試制。面向2012年的正式量產(chǎn)，將于20
富士通半導(dǎo)體在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕張Messe會展中心）上，展示了集成GaN功率晶體管的直徑150mm的硅晶圓。在該元件量產(chǎn)線所在的會津若松市的工廠中進(jìn)行了試制。面向2012年的正式量產(chǎn)，將于2011年上半年開始樣品供貨。
此次開發(fā)的GaN功率晶體管以在GaN類材料的異質(zhì)架構(gòu)上形成的HEMT（高電子移動度晶體管）為原型。通過像MOS FET一樣導(dǎo)入柵極絕緣膜，實現(xiàn)了常閉化。元件的耐壓為700V級，電流容量為20～40A。能在最高200℃的高溫下工作。
富士通半導(dǎo)體計劃首先面向富士通制造的服務(wù)器中使用的開關(guān)電源量產(chǎn)此次的GaN功率晶體管。與此同時也將面向海外銷售。GaN功率晶體管的優(yōu)點是不僅可用于服務(wù)器，“還可用于個人電腦”（富士通半導(dǎo)體的解說員）。例如，個人電腦用的DC-DC轉(zhuǎn)換器上的耐壓30V的元件，其運行速度、耗電量和芯片面積等均優(yōu)于Si-MOSFET。
富士通半導(dǎo)體計劃在GaN功率晶體管的量產(chǎn)中最初使用直徑150mm的硅晶圓，之后再加大到200mm以上。將來“還要使用300mm的生產(chǎn)線”（解說員）。（記者：大下 淳一）
試制晶圓展示（點擊放大）
還展出了封裝后的產(chǎn)品（點擊放大）
此次開發(fā)的GaN功率晶體管以在GaN類材料的異質(zhì)架構(gòu)上形成的HEMT（高電子移動度晶體管）為原型。通過像MOS FET一樣導(dǎo)入柵極絕緣膜，實現(xiàn)了常閉化。元件的耐壓為700V級，電流容量為20～40A。能在最高200℃的高溫下工作。
富士通半導(dǎo)體計劃首先面向富士通制造的服務(wù)器中使用的開關(guān)電源量產(chǎn)此次的GaN功率晶體管。與此同時也將面向海外銷售。GaN功率晶體管的優(yōu)點是不僅可用于服務(wù)器，“還可用于個人電腦”（富士通半導(dǎo)體的解說員）。例如，個人電腦用的DC-DC轉(zhuǎn)換器上的耐壓30V的元件，其運行速度、耗電量和芯片面積等均優(yōu)于Si-MOSFET。
富士通半導(dǎo)體計劃在GaN功率晶體管的量產(chǎn)中最初使用直徑150mm的硅晶圓，之后再加大到200mm以上。將來“還要使用300mm的生產(chǎn)線”（解說員）。（記者：大下 淳一）
試制晶圓展示（點擊放大）
還展出了封裝后的產(chǎn)品（點擊放大）
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