當AMD在去年出售位于紐約北部的制造工廠GLOBALFOUNDRIES時，AMD宣稱此舉是為了“縮小與Intel的差距”。AMD制造系統(tǒng)技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示：“我們在45nm技術(shù)上與Intel相差一年，這一差距將在32nm技術(shù)上大幅縮小。到22nm的時候，我們將與Intel并駕齊驅(qū)?！?br>
但是一年之后，似乎這個差距變得越來越大了。Intel在今年一月推出了首款32nm“Westmere”至強處理器，而GLOBALFOUNDRIES則表示他們計劃在明年年中交付32nm芯片?！?2nm SOI制程符合AMD的要求，而且目前AMD是我們采用該制程工藝的唯一客戶。我們已經(jīng)開始了初期生產(chǎn)，并公開承諾他們已經(jīng)給付了樣品，計劃（在2011年上半年）交付產(chǎn)品?！?br>
目前該公司還在開發(fā)28nm制程工藝——比32nm前進了“半個節(jié)點”——并且計劃在明年交付芯片。該公司新聞發(fā)言人表示：“在28nm制程——主要針對高性能和低功耗設(shè)備——方面，我們將今年年底制造出產(chǎn)品，并從2011年開始量產(chǎn)。產(chǎn)品上市的時間要取決于客戶，不過你可能會在2011年上半年會看到。”

據(jù)UBM Techinsights高級分析師Carl Wintgens，AMD與Intel的差距不斷擴大部分原因是由于兩家廠商的競爭不僅在于縮小的制程工藝上，而且還在于高K-金屬柵極的進程上（高K-金屬柵極技術(shù)取代了沿用了40年之久的二氧化硅材料）。

Wintgens表示：“到目前為止還沒有其他制造商公布他們的32nm技術(shù)，只有Intel。因為，大多數(shù)制造商將在32nm方面首次引入高K-金屬柵極技術(shù)。這是非常復雜的，可能會成為推遲的原因?！?br>
Intel早在32nm之前的45nm工藝上就首次采用了高K-金屬柵極技術(shù)。

而且，Intel的競爭對手在高K-金屬柵極技術(shù)上采取了不同的策略。Intel使用的是Gate-last工藝，這種技術(shù)的特點是在對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫退火工步完成之后再形成金屬柵極。而GLOBALFOUNDRIES與其他“IBM晶圓俱樂部”的成員采用的是傳統(tǒng)Gate-first工藝。Wintgens表示，隨著高K-金屬柵極技術(shù)的采用，Gate-first工藝可能會出現(xiàn)一些問題。

“當你對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作的時候，你必須使用高溫流程，如果柵極是金屬的，那么柵極的電性會受到該流程的影響。這就是為什么最好是在漏/源區(qū)之后做金屬棧極。這會在流程中引入一些復雜性，但是最終會形成一個更可靠的流程。”

根據(jù)報告顯示，三星正在探索一種Gate-last工藝以遷移到22nm，考慮到Gate-first工藝只適合于一個制造“節(jié)點”——例如32nm。

GLOBALFOUNDRIES將可能成為第一個完成32nm first工藝工藝的制造商，但實際芯片的問世可能要推遲到明年年中——盡管臺積電可能會趕在前面。臺積電采用的是Intel Gate-last工藝。

Wintgens表示，GLOBALFOUNDRIES的28nm制程僅僅是為了證明雙方差距并沒有擴大的一個假象。他說：“他們想說‘我們不希望在與Intel對比的時候顯得太糟糕，因此我們將推出28nm。'28nm并不是一個真正的工藝點，而是一個中節(jié)點或者辦節(jié)點?！?br>
他甚至質(zhì)疑AMD的32nm工藝是否會推向市場。GLOBALFOUNDRIES并沒有談?wù)撽P(guān)于從20nm到22nm的詳細計劃，但是該廠商表示將于今年9月在硅谷展開的一次會事上透露相關(guān)信息。