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[導讀]臺積電10日舉行董事會,會中通過多項決議,包括以3.19億美元預算,投入LED及薄膜太陽能模塊新事業(yè)發(fā)展;另外也通過投入19.72億美元擴充12吋廠產(chǎn)能。 臺積電日前宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元,調(diào)升到59億

臺積電10日舉行董事會,會中通過多項決議,包括以3.19億美元預算,投入LED及薄膜太陽能模塊新事業(yè)發(fā)展;另外也通過投入19.72億美元擴充12吋廠產(chǎn)能。

臺積電日前宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元,調(diào)升到59億美元。

其中58億美元用于投資晶圓廠,而當中的79%用來擴充65奈米、40奈米及28奈米制程,13%用來投資超越摩爾定律(More-than-Moore)的新制程技術,另外8%用于研發(fā);另外1億美元將用來投資新事業(yè)。他進一步指出,用于投資晶圓廠的58億美元中。

臺積電董事會核準將2010年19.72億美元,擴充12吋廠先進制程產(chǎn)能。臺積電目前有晶圓12廠(Fab12)與南科晶圓14廠(Fab14)兩座超大型晶圓廠,合計月產(chǎn)能產(chǎn)能已超過20萬片約當12吋晶圓,預計年底將擴充至24萬片。

臺積電董事會還核準3.69億美元預算,投入位于中科的晶圓15廠興建工程。

中科12吋超大型晶圓廠(GIGAFAB)晶圓15廠(Fab15) 于7月中動土的,未來單月產(chǎn)能可望達到10逾萬片。

另一方面,董事會中也核準2.58億美元預算,增加特殊制程產(chǎn)能,及2.25億美元額度內(nèi)對臺積電大陸廠增資。同時,研發(fā)及經(jīng)常性資本預算自原訂的5.34億美元,提高至6.78億美元。

在加速產(chǎn)能擴充計劃后,2010年總產(chǎn)能將達1,129.9萬片8吋約當晶圓規(guī)模,? ?009年增加14%,增加幅度將較原預估的13%高。其中,先進制程產(chǎn)能將增加36%,也將較原預估的35%高。

臺積電董事會也核準3.19億美元預算發(fā)展新事業(yè);其中,1.01億美元用以興建LED照明生產(chǎn)線,另外2.18 億美元用以興建薄膜太陽能模塊廠。

臺積電LED廠已動土開始興建,預計年底前設備進廠,至于位于臺中的太陽能薄膜廠將于8月底或9月初動土。

另一方面,臺積電董事會亦通過多項人事案,拔擢財務長何麗梅、法務長杜東佑及全球業(yè)務暨營銷組織副總經(jīng)理陳俊圣等人為資深副總經(jīng)理,并擢升企業(yè)規(guī)劃組織協(xié)理孫中平、6吋及8吋廠總廠長林錦坤、12吋廠總廠長王建光等為副總經(jīng)理。




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