IBM瞄準(zhǔn)10nm以下工藝
美國(guó)IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線(xiàn)FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確認(rèn)了工作情況（論文編號(hào)：2.3）。此次試制的是“Gate-all-around”型FET，采用了通過(guò)柵極將柱狀硅納米線(xiàn)完全包起來(lái)的形狀。配備三維通道。一般情況下，如果可以實(shí)現(xiàn)直徑為3nm的硅納米線(xiàn)，柵極長(zhǎng)度就可以達(dá)到6nm左右。也就是說(shuō)，這是一項(xiàng)瞄準(zhǔn)10nm以下工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的技術(shù)。
此次IBM試制了硅納米線(xiàn)直徑為3～14nm、柵極長(zhǎng)度為25nm～55nm的多種FET。采用了high-k柵極絕緣膜和金屬柵極。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果中公布了逆變電路輸出功率倒置的數(shù)據(jù)，以及環(huán)形振蕩器的延遲時(shí)間與電源電壓的關(guān)系如何隨著硅納米線(xiàn)的直徑發(fā)生變化等數(shù)據(jù)。硅納米線(xiàn)的直徑越短，環(huán)形振蕩器的延遲時(shí)間就越長(zhǎng)。據(jù)介紹，如果硅納米線(xiàn)的截面積較小，從觸點(diǎn)（Contact）到晶體管的電阻就會(huì)增大，最終導(dǎo)致延遲時(shí)間變長(zhǎng)。該電阻值的削減等將成為今后研究的一個(gè)課題。
此外，IBM還公開(kāi)了硅納米線(xiàn)FET的截面照片和長(zhǎng)度方向的照片。看過(guò)長(zhǎng)度方向照片的某位技術(shù)人員表示，“硅納米線(xiàn)的尺寸沒(méi)有出現(xiàn)參差不齊的現(xiàn)象。這點(diǎn)應(yīng)該給予好評(píng)”。
下載文檔存儲(chǔ)業(yè)務(wù)是根據(jù)不同的應(yīng)用環(huán)境，運(yùn)營(yíng)商或業(yè)務(wù)提供商通過(guò)采取合理、安全、有效的方式將數(shù)據(jù)保存到某些介質(zhì)上并能保證有效訪(fǎng)問(wèn)的業(yè)務(wù)。
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