存儲器中采用銅工藝對于設(shè)備市場的影響
[導(dǎo)讀]按InformationNetwork總裁RobertCasterllano的說法,2009年存儲器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個半導(dǎo)體設(shè)備市場下降超過40％以上,而與銅互連直接相關(guān)連的設(shè)備僅下降8.7％。
在2006未Micron
按InformationNetwork總裁RobertCasterllano的說法,2009年存儲器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個半導(dǎo)體設(shè)備市場下降超過40％以上,而與銅互連直接相關(guān)連的設(shè)備僅下降8.7％。
在2006未Micron技術(shù)公司首先在DRAM產(chǎn)品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進。之后所有的存儲器制造商,以三星為首都對于存儲器生產(chǎn)線進行升級改造,導(dǎo)入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設(shè)備和材料的市場。公司認為此種趨勢將影響半導(dǎo)體設(shè)備市場的各個方面一直到2011年。
顯然影響最大的是傳統(tǒng)的鋁互連淀積設(shè)備,如高密度等離子體HDPCVD,用作不摻雜(USG)和摻雜(PSGandFSG)薄膜生長設(shè)備的銷售額在2009年下降72％。
由于存儲器芯片制造中采用銅工藝集成,與傳統(tǒng)的邏輯工藝不同.而DRAM和閃存應(yīng)用于大量的存儲器應(yīng)用中,其要求更高的長寬比,尺寸更小和對于導(dǎo)線的阻抗更會敏感。
銅的阻擋層金屬淀積推動PVD設(shè)備市場的增長,典型為Ta/TaN或者TiN的雙層結(jié)構(gòu)。隨著特征尺寸繼續(xù)縮小,要求更薄的阻擋層金屬層使大馬士革結(jié)構(gòu)中銅的用量擴大,來維持更低的有效電阻率,所以銅互連工藝過渡是個挑戰(zhàn)。
Castellano補充由于向銅互連工藝過渡會大大影響CMP設(shè)備中的磨料(slurry)和襯墊(pad)市場。實際上由于銅互連工藝很快的推廣,之后將趨穩(wěn)定,這些消耗品會加入總的CMP等半導(dǎo)體設(shè)備市場中去。
在2006未Micron技術(shù)公司首先在DRAM產(chǎn)品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進。之后所有的存儲器制造商,以三星為首都對于存儲器生產(chǎn)線進行升級改造,導(dǎo)入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設(shè)備和材料的市場。公司認為此種趨勢將影響半導(dǎo)體設(shè)備市場的各個方面一直到2011年。
顯然影響最大的是傳統(tǒng)的鋁互連淀積設(shè)備,如高密度等離子體HDPCVD,用作不摻雜(USG)和摻雜(PSGandFSG)薄膜生長設(shè)備的銷售額在2009年下降72％。
由于存儲器芯片制造中采用銅工藝集成,與傳統(tǒng)的邏輯工藝不同.而DRAM和閃存應(yīng)用于大量的存儲器應(yīng)用中,其要求更高的長寬比,尺寸更小和對于導(dǎo)線的阻抗更會敏感。
銅的阻擋層金屬淀積推動PVD設(shè)備市場的增長,典型為Ta/TaN或者TiN的雙層結(jié)構(gòu)。隨著特征尺寸繼續(xù)縮小,要求更薄的阻擋層金屬層使大馬士革結(jié)構(gòu)中銅的用量擴大,來維持更低的有效電阻率,所以銅互連工藝過渡是個挑戰(zhàn)。
Castellano補充由于向銅互連工藝過渡會大大影響CMP設(shè)備中的磨料(slurry)和襯墊(pad)市場。實際上由于銅互連工藝很快的推廣,之后將趨穩(wěn)定,這些消耗品會加入總的CMP等半導(dǎo)體設(shè)備市場中去。
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