圍繞新一代半導(dǎo)體制造中使用的曝光裝置，尼康與荷蘭阿斯麥（ASML）之間的攻防戰(zhàn)越來越激烈。雙方最大的焦點是邏輯LSI用曝光裝置。更具體地說，就是美國英特爾公司將決定22nm和16nm工藝中選擇采用何種曝光裝置，而這正是尼康“大本營”。在2010年2月底于美國圣何塞舉行的“SPIE Advanced Lithography 2010”及其前后的發(fā)布中，備受關(guān)注的一點就是ASML宣布其獲得了英特爾的“Preferred Quality Supplier（PQS）Award”大獎。對ASML來說，這是首次獲得此項大獎。

ASML自己宣布獲獎，是為了強調(diào)“英特爾的新一代邏輯LSI采用了ASML的曝光裝置”。目的是通過公布獲獎一事，來間接表明英特爾采用了自己公司的產(chǎn)品這一事實。另外，尼康也宣布自己獲得了此項大獎。

英特爾正在開發(fā)新一代的22nm工藝，其中采用了ASML的曝光裝置。估計英特爾采用的是二次圖形曝光（Double Patterning）用ArF液浸曝光裝置，另外還采用了尼康的裝置。英特爾量產(chǎn)22nm工藝時，二次圖形曝光用ArF液浸曝光裝置方面，ASML的采用比例有可能會接近半數(shù)。

估計英特爾采用ASML的曝光裝置的原因在于CoO（Cost of Ownership）。ASML的二次圖形曝光用ArF液浸曝光裝置的價格，要比尼康的裝置高幾十％。如果可以獲得超過這個價格差的生產(chǎn)效率，ASML的曝光裝置就可以在CoO上處于優(yōu)勢地位。其實，在面向32nm工藝的量產(chǎn)用ArF液浸曝光裝置的CoO方面，最初ASML一直領(lǐng)先于其他廠商，不過之后尼康的裝置逐漸接近業(yè)界公開的性能，ASML和尼康在CoO方面勢均力敵。

對于尼康來說，與ASML共同分享向英特爾量產(chǎn)用ArF液浸曝光裝置這塊“蛋糕”是非常痛苦的。原因是在32nm和45nm工藝用途中，此前基本上一直是由尼康壟斷量產(chǎn)用曝光裝置。

另外，估計在2015年以后開始量產(chǎn)的16nm工藝用途中，英特爾可能會采用EUV（Extreme Ultra Violet）曝光裝置。ASML和尼康在EUV曝光裝置方面所采取的戰(zhàn)略有很大差別。ASML自己冒險主導(dǎo)開發(fā)了EUV曝光裝置，實用化的預(yù)感越來越強烈。首先，預(yù)計DRAM和NAND型閃存廠商將在2010年下半年以后開始導(dǎo)入ASML的試制用和初期量產(chǎn)用EUV曝光裝置，在2011年下半年以后用于內(nèi)存的量產(chǎn)中。（記者：加藤 伸一）