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[導(dǎo)讀]圍繞新一代半導(dǎo)體制造中使用的曝光裝置,尼康與荷蘭阿斯麥(ASML)之間的攻防戰(zhàn)越來(lái)越激烈。雙方最大的焦點(diǎn)是邏輯LSI用曝光裝置。更具體地說(shuō),就是美國(guó)英特爾公司將決定22nm和16nm工藝中選擇采用何種曝光裝置,而這正

圍繞新一代半導(dǎo)體制造中使用的曝光裝置,尼康與荷蘭阿斯麥(ASML)之間的攻防戰(zhàn)越來(lái)越激烈。雙方最大的焦點(diǎn)是邏輯LSI用曝光裝置。更具體地說(shuō),就是美國(guó)英特爾公司將決定22nm和16nm工藝中選擇采用何種曝光裝置,而這正是尼康“大本營(yíng)”。在2010年2月底于美國(guó)圣何塞舉行的“SPIE Advanced Lithography 2010”及其前后的發(fā)布中,備受關(guān)注的一點(diǎn)就是ASML宣布其獲得了英特爾的“Preferred Quality Supplier(PQS)Award”大獎(jiǎng)(ASML的英文發(fā)布資料)。對(duì)ASML來(lái)說(shuō),這是首次獲得此項(xiàng)大獎(jiǎng)。

ASML自己宣布獲獎(jiǎng),是為了強(qiáng)調(diào)“英特爾的新一代邏輯LSI采用了ASML的曝光裝置”。目的是通過(guò)公布獲獎(jiǎng)一事,來(lái)間接表明英特爾采用了自己公司的產(chǎn)品這一事實(shí)。另外,尼康也宣布自己獲得了此項(xiàng)大獎(jiǎng)(英特爾的英文發(fā)布資料、尼康的日文發(fā)布資料)。

英特爾正在開發(fā)新一代的22nm工藝,其中采用了ASML的曝光裝置。估計(jì)英特爾采用的是二次圖形曝光(Double Patterning)用ArF液浸曝光裝置,另外還采用了尼康的裝置。英特爾量產(chǎn)22nm工藝時(shí),二次圖形曝光用ArF液浸曝光裝置方面,ASML的采用比例有可能會(huì)接近半數(shù)。

估計(jì)英特爾采用ASML的曝光裝置的原因在于CoO(Cost of Ownership)。ASML的二次圖形曝光用ArF液浸曝光裝置的價(jià)格,要比尼康的裝置高幾十%。如果可以獲得超過(guò)這個(gè)價(jià)格差的生產(chǎn)效率,ASML的曝光裝置就可以在CoO上處于優(yōu)勢(shì)地位。其實(shí),在面向32nm工藝的量產(chǎn)用ArF液浸曝光裝置的CoO方面,最初ASML一直領(lǐng)先于其他廠商,不過(guò)之后尼康的裝置逐漸接近業(yè)界公開的性能,ASML和尼康在CoO方面勢(shì)均力敵。

對(duì)于尼康來(lái)說(shuō),與ASML共同分享向英特爾量產(chǎn)用ArF液浸曝光裝置這塊“蛋糕”是非常痛苦的。原因是在32nm和45nm工藝用途中,此前基本上一直是由尼康壟斷量產(chǎn)用曝光裝置。

另外,估計(jì)在2015年以后開始量產(chǎn)的16nm工藝用途中,英特爾可能會(huì)采用EUV(Extreme Ultra Violet)曝光裝置。ASML和尼康在EUV曝光裝置方面所采取的戰(zhàn)略有很大差別。ASML自己冒險(xiǎn)主導(dǎo)開發(fā)了EUV曝光裝置,實(shí)用化的預(yù)感越來(lái)越強(qiáng)烈。首先,預(yù)計(jì)DRAM和NAND型閃存廠商將在2010年下半年以后開始導(dǎo)入ASML的試制用和初期量產(chǎn)用EUV曝光裝置,在2011年下半年以后用于內(nèi)存的量產(chǎn)中。(記者:加藤 伸一)



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