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[導讀]可編程邏輯組件大廠賽靈思(Xilinx)昨(23)日宣布,將采用臺積電(2330)高效能(HPL)及三星電子低功耗(LPMZ)等28奈米高介電金屬閘極(High-K Metal-Gate,HKMG)制程,生產下一世代的可編程邏輯門陣列(FPGA)

可編程邏輯組件大廠賽靈思(Xilinx)昨(23)日宣布,將采用臺積電(2330)高效能(HPL)及三星電子低功耗(LPMZ)等28奈米高介電金屬閘極(High-K Metal-Gate,HKMG)制程,生產下一世代的可編程邏輯門陣列(FPGA)芯片。至于與賽靈思合作逾10年的聯電(2303),在28奈米合作案上暫時出局,但仍是賽靈思65奈米及40奈米FPGA芯片最大代工廠。

賽靈思昨日在分析師會議后,對外宣布將在今年推出新一代28 奈米FPGA芯片及設計平臺,全新平臺的功耗只有前一代40奈米平臺的一半,容量卻高出兩倍。賽靈思指出,透過選擇一種高效能與低功耗的制程技術,可讓產品更多元的通用型可擴充架構,將最大化28奈米制程節(jié)點的價值,提供顧客具備特殊應用芯片(ASIC)等級能力的FPGA組件,以符合其成本與電力預算,同時可藉由簡單的設計移轉與再利用的硅智財(IP),提升工程師的生產力。(新聞來源:工商時報─記者涂志豪/臺北報導)



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