450mm晶圓，EUV光刻、TSV三項(xiàng)投入應(yīng)用將推遲至2015-2016年
半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司ICInsights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)（EUV）投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。
據(jù)ICInsights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實(shí)用化建設(shè)--比預(yù)期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預(yù)計(jì)16nm級(jí)別制程技術(shù)中也不會(huì)應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)會(huì)被后延到2015年，在13nm級(jí)別的工藝制程中投入實(shí)用。
另外一項(xiàng)較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)（TSVs）也仍然處于萌芽狀態(tài)，ICInsight公司的分析師TrevorYancey表示，此前外界似乎過高估計(jì)了這項(xiàng)技術(shù)的成熟度，目前這項(xiàng)技術(shù)要投入實(shí)用，還需要解決很多有關(guān)測(cè)試和成本方面的問題。
這樣的分析結(jié)果意味著曾被人們寄予厚望的，能用來延續(xù)摩爾定律壽命的三項(xiàng)新技術(shù)：450mm，EUV以及TSVs離投入實(shí)用還有一段時(shí)間。
450mm技術(shù)實(shí)用化的后延并不令人感到意外，畢竟轉(zhuǎn)換到450mm技術(shù)需要大量的資金投入，而且眼下經(jīng)濟(jì)危機(jī)的陰云還沒有完全散去。據(jù)先前的報(bào)道，Intel，臺(tái)積電以及三星三家公司將各自在2012年前建成自己的450mm試驗(yàn)用廠房。這幾家公司都希望能在32nm制程節(jié)點(diǎn)上采用450mm晶圓制出展示用樣品，并將在22nm制程節(jié)點(diǎn)上采用450mm晶圓進(jìn)行小量試產(chǎn)。不過也有人認(rèn)為450mm工廠永遠(yuǎn)也不會(huì)投入實(shí)用，他們認(rèn)為相關(guān)的研發(fā)費(fèi)用實(shí)在是太高了。
在最近舉辦的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì)上（ISS），有傳言稱芯片廠商已經(jīng)暫時(shí)放棄了建設(shè)450mm晶圓廠的計(jì)劃，并稱有關(guān)的計(jì)劃只有在15nm節(jié)點(diǎn)制程才有望得以實(shí)施。據(jù)業(yè)者猜測(cè)，經(jīng)濟(jì)危機(jī)，缺乏設(shè)備制造廠商的有力支持應(yīng)該是造成計(jì)劃拖延的主要因素。
EUV技術(shù)方面，由于在光阻膠以及光掩模板等方面仍有技術(shù)難題需要克服，因此投入實(shí)用的日期也將從原先預(yù)計(jì)的2013年16nm制程節(jié)點(diǎn)拖后到2015年左右的13nm制程節(jié)點(diǎn)。此前包括Intel和三星在內(nèi)多家廠商和半導(dǎo)體制造協(xié)會(huì)均表示，由于資金短缺，和EUV光掩模檢具的匱乏，因此EUV光刻技術(shù)的實(shí)施日期將后延一段時(shí)間。
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