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宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進的0。18微米45VLDMOS電源管理制程

時間：2010-01-14 22:06:00

關(guān)鍵字： LDMOS 半導(dǎo)體電源管理微米

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[導(dǎo)讀]上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布基于其穩(wěn)定的0。18微米邏輯平臺的先進45VLDMOS電源管理制程。與傳統(tǒng)線寬相比，0。18微米邏輯平臺使得更高集成度的數(shù)字電

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布基于其穩(wěn)定的0。18微米邏輯平臺的先進45VLDMOS電源管理制程。

與傳統(tǒng)線寬相比，0。18微米邏輯平臺使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能，從而可以適用于SoC和智能電源。宏力半導(dǎo)體成熟的0。18微米邏輯制程配備了具有高精準(zhǔn)模型的完整設(shè)計工具包，極大地縮短了產(chǎn)品的設(shè)計周期，加速客戶產(chǎn)品的投產(chǎn)。此外，該0。18微米邏輯制程還分別提供了通用邏輯和低功耗邏輯平臺供客戶選擇。

通過優(yōu)化器件的布局、注入和熱處理過程等特定步驟減小了Rdson(導(dǎo)通電阻)，45VNMOS和PMOS的導(dǎo)通電阻分別約為70mOhm"mm2和160mOhm"mm2。導(dǎo)通電阻的減小可以使電源芯片功率驅(qū)動部分的面積縮減10%~40%，客戶因此可以為電源管理應(yīng)用提供更加有效的解決方案。

除此以外，模塊化制程也更加靈活。1。8V的器件可以易于添加或者移除，可適用于客戶的特殊要求。除了標(biāo)準(zhǔn)的5V器件外，根據(jù)客戶的特定設(shè)計，3。3V也可以用來備選。其他諸如MiM，HR和Bipolar等器件也可供客戶選擇。

銷售市場及服務(wù)資深副總裁衛(wèi)彼得博士說：“宏力半導(dǎo)體最新發(fā)布的45VLDMOS是一個高性能的制程，可以為客戶提供一個低成本的解決方案，縮短產(chǎn)品上市時間。這個技術(shù)平臺針對目前快速發(fā)展的電源管理芯片市場，適用于尖端的LED驅(qū)動、馬達控制和電池管理。宏力半導(dǎo)體在汽車電子芯片領(lǐng)域已經(jīng)積累了多年的生產(chǎn)經(jīng)驗，我們相信這個先進的新制程也能夠滿足汽車電子嚴苛的要求?！?/p>

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