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《半導體》臺積電與高通攜手28奈米制程，今年中投產(chǎn)

時間：2010-01-08 18:05:00
關(guān)鍵字： 半導體    臺積電    高通    制程技術(shù)   
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[導讀]臺積電(2330)與美商高通公司（Qualcomm Incorporated）共同宣布，雙方正在28奈米制程技術(shù)進行密切合作，高通預計于2010年年中投產(chǎn)首批28奈米產(chǎn)品。 小尺寸與低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片組平臺在內(nèi)的下世代系

臺積電(2330)與美商高通公司（Qualcomm Incorporated）共同宣布，雙方正在28奈米制程技術(shù)進行密切合作，高通預計于2010年年中投產(chǎn)首批28奈米產(chǎn)品。
小尺寸與低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片組平臺在內(nèi)的下世代系統(tǒng)單芯片解決方案之重要特色?；陔p方長久的合作關(guān)系，高通與臺積公司正攜手將產(chǎn)品從45奈米制程直接推進至28奈米制程。
此先進制程世代可以更具成本效益的將更多功能整合在更小的芯片上，加速無線通信產(chǎn)品在新市場上的擴展。

高通與臺積電過去在65奈米與45奈米制程技術(shù)合作十分密切，現(xiàn)在更進一步延伸至低耗電、低漏電的28奈米世代進行量產(chǎn)。28奈米制程密度可較前一代制程高出一倍，讓執(zhí)行行動運算的半導體組件能在更低耗電下提供更多功能。高通與臺積公司目前在28奈米世代的合作包括高介電層╱金屬閘（high-k metal gate, HKMG）的高效能制程技術(shù)以及具備氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）的低耗電高速制程技術(shù)。



來源：時報

作者：zhaobin

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