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Lasertec開始受理SiC晶圓缺陷檢查裝置“WASAVI系列CICA61”的訂單。SiC晶圓正在功率元件領(lǐng)域普及。此次的產(chǎn)品主要用于評(píng)價(jià)分析SiC晶圓外延生長(zhǎng)工藝的開發(fā)、管理制造工序中的工藝以及對(duì)晶圓進(jìn)行供貨及驗(yàn)收檢查等用途。

SiC晶圓受到晶圓本身透光引起的背面反射光及外延晶圓特有的階梯沖裁（Step Punching）的影響，存在難以檢查缺陷的課題。因此，在進(jìn)行SiC晶圓缺陷檢查時(shí)，只能利用光學(xué)顯微鏡的暗場(chǎng)像（Dark Field Image）觀察從晶圓上飛出的異物造成的散亂光。

CICA61組合使用了在縱向觀察中突出較強(qiáng)的共焦光學(xué)系統(tǒng)及微小差異進(jìn)行觀察的差分干涉測(cè)量法，可高精度檢測(cè)表面凹陷、堆垛層錯(cuò)（Stacking Fault）及碎屑（Carrot）等晶圓表面較淺的凹陷形狀缺陷。還備有缺陷分布圖顯示功能、缺陷分類功能及高精度3D形狀檢測(cè)功能等。

Lasertec表示，“已有很多廠商訂購，除了研發(fā)用途之外，在制造過程中采用該裝置的情況也不斷增多”。