法國(guó)Soitec與CEA-LETI將全套提供采用硅通孔的晶圓級(jí)三維積層技術(shù)
法國(guó)Soitec SA和CEA-LETI（法國(guó)原子能委員會(huì)的電子信息技術(shù)研究所）聯(lián)合宣布，將以全套工藝的方式提供采用硅通孔的的晶圓對(duì)晶圓三維積層技術(shù)。元件廠商可利用Soitec的SOI晶圓和相關(guān)技術(shù)以及CEA-LETI的工藝技術(shù)，（1）使用CEA-LETI的200mm和300mm晶圓生產(chǎn)線進(jìn)行工藝開發(fā)和試制，（2）將工藝移植到元件廠商的量產(chǎn)線上。這樣，使用硅通孔的三維積層技術(shù)便可迅速實(shí)現(xiàn)實(shí)用化。元件廠商接受Soitec的SOI晶圓以及兩公司提供的技術(shù)授權(quán)便可進(jìn)行量產(chǎn)。
兩公司的賣點(diǎn)是可有效利用已經(jīng)開發(fā)出來(lái)的硅通孔形成技術(shù)和三維積層技術(shù)。另外，雖然SOI晶圓的價(jià)格要比硅晶圓高出數(shù)倍，不過(guò)與原來(lái)的 CMOS圖像傳感器相比，在高性能的BSI（背面照射：Backside Illumination）型CMOS圖像傳感器方面，SOI晶圓在底板的薄化工藝中占有優(yōu)勢(shì)，容易實(shí)現(xiàn)高畫質(zhì)，因此被大量采用。
此次在日本進(jìn)行發(fā)布的原因，估計(jì)是把日本的圖像傳感器廠商在單反相機(jī)用BSI型CMOS圖像傳感器方面的業(yè)務(wù)作為了主要目標(biāo)。兩家公司在采用此次服務(wù)的實(shí)際案例中提到了意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的BSI型CMOS圖像傳感器。
不過(guò)，基于晶圓對(duì)晶圓的三維積層需要滿足（1）成品率接近100％，（2）積層芯片的尺寸基本相同的條件，所以采用起來(lái)還存在困難的可能性。晶圓對(duì)晶圓的三維積層雖然可在晶圓級(jí)上層積所有芯片，但也存在著層積次品從而導(dǎo)致成品率惡化的可能性。
當(dāng)記者確認(rèn)這一點(diǎn)時(shí)，Soitec首席執(zhí)行官安德里?杰克表示“我們以面向晶圓對(duì)晶圓三維積層的應(yīng)用為目標(biāo)，設(shè)想最初用于BSI型CMOS圖像傳感器，之后再用于內(nèi)存”。兩種元件的積層芯片尺寸基本相同，定位精度也都在1～5μm左右。
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