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諾發(fā)先進SPM-F技術協(xié)助提升晶圓廠產(chǎn)能

時間：2009-10-28 06:22:00

關鍵字：晶圓廠 SPEED 控制 HD

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[導讀]諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus)近日開發(fā)出一項SPM-F填充制程技術，以延伸其SPEED MAX系統(tǒng)在隔離淺溝槽(STI)充填沈積應用至32柰米技術節(jié)點。這種新制程技術利用SPEED MAX高密度電漿化學氣相沈積(HDP-CVD)平臺，可取代濕式刻蝕加工

諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus)近日開發(fā)出一項SPM-F填充制程技術，以延伸其SPEED MAX系統(tǒng)在隔離淺溝槽(STI)充填沈積應用至32柰米技術節(jié)點。這種新制程技術利用SPEED MAX高密度電漿化學氣相沈積(HDP-CVD)平臺，可取代濕式刻蝕加工，并可發(fā)揮動態(tài)配置控制(DPC)功能，從而增加晶圓廠的生產(chǎn)力。
控制濺射到沈積(S/D值)的比例并產(chǎn)生連續(xù)式的沈積/蝕刻來編織需要的輪廓，諾發(fā)系統(tǒng)工程師使用氟(SPM-F)開發(fā)出這種單次，連續(xù)調制輪闊技術以填補32柰米功能架構。此一制程同時也能可滿足嚴格的STI邏輯應用的整合上需求和量產(chǎn)制造的必要條件。
隨著半導體制造商轉移到32奈米以后，需要以最少的硬件修改擴展現(xiàn)有的平臺技術是至關重要的，不僅要滿足發(fā)展的時間表，而且要管理制造成本。由于改變新材料會增加整合上的不確定以及用來取代的新沈積薄膜技術有很多不可取的特質，所以HDP仍是先進的填充幾何結構介質技術首選。
然而，要達到32奈米以后之間隙充填需求，傳統(tǒng)HDP沈積過程中，利用交替沈積和蝕刻周期填補功能必須小心控制。太多的沈積/蝕刻周期，或控制過程的不一致性，會導致過多的消減或產(chǎn)生坑道內的空洞而損失晶圓良率。加入濕法刻蝕的過程是可以克服填空不足但會增加成本及整合的復雜性和生產(chǎn)率低下降。為了實現(xiàn)完整的填空能力而不使用濕法刻蝕步驟，必須調整優(yōu)化晶圓上制程參數(shù)，如S/D值，化學反應和蝕刻均勻性。
諾發(fā)SPEED Max系統(tǒng)展延HDP-CVD方法應用到45和32奈米技術節(jié)點。該系統(tǒng)的恒溫反應室的設計以及結合擴大電漿源其允許生產(chǎn)更多的晶圓在反應室的累積膜厚清除循還之間提供卓越的系統(tǒng)生產(chǎn)量。此外SPEED Max的多口噴射，再加上獨立電漿源技術所定制重復的沈積和蝕刻的最佳程續(xù)可達成晶圓上薄膜厚度和充填的均勻性。
諾發(fā)系統(tǒng)發(fā)展出SPPED MAX系統(tǒng)平臺上獨特的SPM-F填充制程來除去額外濕式蝕刻的步驟。利用SPEED MAX的密集電漿源和DPC技術，能夠減少結構上端氧化程度并消除在高低密集數(shù)組上的切剪效應來完成填充的32奈米結構。