因應景氣翻揚，晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電紛紛備妥銀彈展開資本支出競賽，其中45/40納米產(chǎn)能擴充將是2009~2010年重點，而臺積電則于40納米制程世代起一并提供客戶全套式的前、后段制程代工服務，加上太陽能產(chǎn)廠將動工，預料2010年資本支出上看30億美元，不過同業(yè)聯(lián)電的資本支出增幅更為驚人，2010年資本支出可望翻一倍達到10億美元。

2008 年臺積電、聯(lián)電受到金融風暴影響，緊急在資本支出踩煞車，讓半導體設備業(yè)者陷入寒冬，如今景氣狀況回穩(wěn)，2009年上半起資本支出逐漸解凍，到了下半年臺積電、聯(lián)電紛紛加碼添購設備，預料到2010年上半加碼采購設備的動作將會愈來愈積極，一方面消化之前的預算，添購之前產(chǎn)能急凍的不足部分，另一方面誰都不想在45/40納米競賽中落后。

據(jù)了解，繼臺積電內部擬提高資本支出后，也已將暫定將2010年資本支出定為30億美元上下，約較2009年資本支出23億美元成長30%；不過，成長幅度最驚人的則是同業(yè)聯(lián)電，聯(lián)電內部預測，2009年資本支出約5億美元，但2010年資本支出可望翻一倍達到10億美元，成長幅度比臺積電還要高。

半導體業(yè)者指出，綜觀臺積電、聯(lián)電加碼資本支出的方向，40/45納米則是重點，臺積電積極擴充Fab 12第4期的40納米產(chǎn)能，同時在65納米制程定單方面也持續(xù)增加，因此計劃增添65納米制程產(chǎn)能，較為不同的是，臺積電除了積極擴充40納米前段制程產(chǎn)能，也將為客戶提供40納米后段制程全套化服務。因此，在前、后段制程上都將有巨額投資。

在聯(lián)電方面，2009年的資本支出5億美元主要用以新加坡廠UMCi與Fab 12A的45/40納米產(chǎn)能擴充，此外Fab 12B的第3、第4期無塵室建置也將緊鑼密鼓展開，預料未來增添設備的需求很快將順勢到來，聯(lián)電內部則規(guī)畫，將會加碼2010年資本支出達到10億美元。臺積電、聯(lián)電盡管在景氣低谷時也保持充?，F(xiàn)金水位，一旦景氣訊號翻揚，保留的銀彈實力便可充分發(fā)揮。

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