日前，設計與制造高性能射頻系統(tǒng)與解決方案的RF Micro Devices(RFMD)宣布推出專有微機電系統(tǒng)(MEMS)——面向 RF及其他應用的技術。RFMD期望其專有的MEMS技術將在RF及其他應用中實現(xiàn)突破性的性能及空前水平的功能整合。RFMD是開發(fā)面向低成本整合RF應用的MEMS技術的先驅(qū)者，公司自2004年起便已開始積極進行MEMS技術的商業(yè)化。RFMD期望其專有的MEMS技術將在RF及其他應用中實現(xiàn)突破性的性能及空前水平的功能整合。

RFMD推出的第一批RF MEMS器件將是面向3G多模手機的RF MEMS發(fā)送接收開關及RF MEMS模式開關。通過極大減小產(chǎn)品占位面積并提高效率，從而延長手機通話時間，RFMD的MEMS 開關技術將有助于加速3G部署。當與面向前端解決方案(GaAs、SOI及硅)的RFMD業(yè)界領先工藝技術相結(jié)合時，RFMD的RF MEMS開關技術將樹立低成本、小尺寸及超高性能前端的新標準。

RFMD的MEMS開關還將在功率放大器 (PA) 的輸出電路中使用，以創(chuàng)建可調(diào)諧的PA，公司預計這將實現(xiàn)真正自適應的收發(fā)器解決方案。

RFMD研發(fā)副總裁Victor Steel指出：“RFMD專有MEMS技術的商業(yè)化以及我們200mm MEMS研發(fā)制造廠的建設強調(diào)了 RFMD不斷致力于通過一流的創(chuàng)新實現(xiàn)產(chǎn)品領先地位。RFMD是唯一能夠?qū)⒒旌闲盘朇MOS、功率管理、功率放大器、RF開關及RF MEMS結(jié)合在低成本晶圓級封裝的單片解決方案中的公司。隨著我們業(yè)界領先MEMS功能的商業(yè)化，我們將能夠進一步提供可預計并超出我們客戶日益增長的RF需求的高整合度RF解決方案。”

加州大學圣地亞哥分校教授Gabriel M. Rebeiz強調(diào)：“現(xiàn)有RF MEMS開關技術基于小制造批次及晶圓到晶圓封裝技術，這最終會增加器件成本。RFMD方法及其硅片上的高整合度針鋒相對地解決了這一問題，并最終將提高產(chǎn)量及性能以及極大降低成本。”

RFMD的RF MEMS開關為高功率歐姆接觸式MEMS開關，它們是RF CMOS SOI晶圓上后處理的IC，密封在晶圓級封裝 (WLP) 電介質(zhì)圓頂中。使RF MEMS開關運行所需的所有必要電路均被集成到了基本CMOS中，包括可靠接通功率 MEMS開關所需的大電壓及控制信號的產(chǎn)生。RF MEMS開關完全支持 RFMD 苛刻的蜂窩RF功率模塊要求，包括低插損及高隔離(典型0.2dB35dB @ 1.9GHz)以及高諧波抑制(典型90dBc)，同時還符合嚴格的可靠性及設計與生產(chǎn)成本要求。

除 RF MEMS 開關外，RFMD 還正在積極推動其他MEMS 器件的商業(yè)化，例如RF MEMS濾波器、RF MEMS共鳴器(晶體替代器件)及 MEMS傳感器。公司期望其MEMS技術連同其在高性能射頻系統(tǒng)中的現(xiàn)有核心能力將最終實現(xiàn)能夠適應任何無線協(xié)議–蜂窩或非蜂窩–的單片前端及軟件定義無線電。

RFMD 將構(gòu)建200mm研發(fā)晶圓制造廠以支持其不斷的MEMS開發(fā)。該MEMS研發(fā)制造廠將與RFMD GaN 研發(fā)機構(gòu)共同位于北卡羅萊納Mooresville的新工廠中。